[发明专利]充电泵电路及其操作方法、半导体装置

权利要求书

1.一种充电泵电路，包括至少两个相串联的充电泵级，所述至少两个相串联的充电泵级包括：

前端充电泵级，其具有第一晶体管用以接收输入电压；以及

最末充电泵级，其具有第二晶体管用以提供输出电压；

其中第一晶体管配置以操作于第一阈值电压，而所述第二晶体管配置以操作于相异于所述第一阈值电压的第二阈值电压；

其中所述第一晶体管及所述第二晶体管都被后偏压使得介于所述第一阈值电压和第二阈值电压之间差异量增加。

2.如权利要求1所述的充电泵电路，其中所述第一阈值电压高于所述第二阈值电压。

3.如权利要求1所述的充电泵电路，其中所述前端充电泵级还包括电容，用以储存将传递至次一个充电泵级的能量，而其中所述最末充电泵级还包括电容，用以储存将传递至负载的能量。

4.如权利要求1所述的充电泵电路，其中所述第一晶体管的沟道长度较长于所述第二晶体管的沟道长度，且其中所述第一晶体管的沟道宽长比大于所述第二晶体管的沟道宽长比。

5.一种用于操作充电泵电路的方法，所述充电泵包括至少两个充电泵级，所述方法包括：

配置前端充电泵级的晶体管以操作于第一阈值电压；

配置最末充电泵级的晶体管以操作于第二阈值电压；

经前端充电泵级接收输入电压；

经最末充电泵级提供输出电压；以及

后偏压所述前端充电泵级的晶体管及后偏压所述最末充电泵级的晶体管；

其中所述第一阈值电压高于所述第二阈值电压。

6.如权利要求5所述的用于操作充电泵电路的方法，其中所述第一及第二阈值电压的设置用于形成不同晶体管间源漏区，以使所述前端充电泵级的晶体管和所述最末充电泵级的晶体管都无需额外的注入工艺。

7.一种半导体装置，包括充电泵电路，所述充电泵电路包括：

多个相串联的充电泵单元，每个充电泵单元具有晶体管和电容，所述晶体管用以传递储存于电容里的能量；

其中所述多个相串联的充电泵单元包括前端充电泵单元和最末充电泵单元，所述前端充电泵单元的晶体管具有第一阈值电压而所述最末充电泵单元的晶体管具有第二阈值电压，而所述第一阈值电压高于第二阈值电压，其中所述前端充电泵单元的晶体管包括第一后偏电压，而所述最末充电泵单元的晶体管包括相异于所述第一后偏电压的第二后偏电压，且其中所述前端充电泵单元的晶体管包括第一沟道长度，而所述最末充电泵单元的晶体管包括短于所述第一沟道长度的第二沟道长度。