[发明专利]评估键合晶片的方法

权利要求书

1、一种评估无需绝缘膜而通过直接键合活化层晶片和支持衬底晶片并减薄活化层晶片所形成的键合晶片的方法，包括以下步骤：从键合晶片中的活化层表面上除去自生氧化物；用对构成晶片的材料的蚀刻速率快于对所述材料氧化物的蚀刻速率的蚀刻液体使键合晶片经受蚀刻以除去至少整个活化层；并检测通过蚀刻露出的岛状氧化物以测得岛状氧化物的数量和尺寸，其中进行所述蚀刻以满足T≤X≤T+500nm的关系，其中T是活化层厚度(nm)，X是蚀刻深度(nm)。

2、根据权利要求1所述的评估键合晶片的方法，其中所述蚀刻步骤是通过预先掌握用于蚀刻的蚀刻液体的种类、浓度和温度，然后根据对构成晶片的材料和其氧化物的蚀刻速率计算出合适的蚀刻时间来进行，以使得蚀刻深度X在T≤X≤T+500nm的范围内。

3、根据权利要求1或2所述的评估键合晶片的方法，其中所述蚀刻液体是氢氧化四甲铵、KOH或NaOH的碱性液体。