[发明专利]光致抗蚀剂层的形成方法

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括：

提供晶片至半导体机台中；

使该晶片在第一转速下进行旋转；

利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上；

停止供应该预湿润溶剂；

将该晶片的转速从该第一转速调整至第二转速，且该第二转速大于该第一转速；以及

于该晶片上涂布光致抗蚀剂层。

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该半导体机台包括光致抗蚀剂涂布机台。

3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第一转速的范围在20rpm至1000rpm之间。

4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该固定位置包括位于该晶片的中央位置上方。

5.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该预湿润溶剂包括降低光致抗蚀剂消耗溶剂。

6.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第二转速的范围在20rpm至1000rpm之间。

7.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该第一转速调整至该第二转速的方法包括先将该第一转速调整至第三转速，再将该第三转速调整至该第二转速。

8.如权利要求7所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第三转速小于该第一转速。

9.如权利要求7所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第三转速大于该第一转速且小于该第二转速。

10.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第三转速的范围在20rpm至1000rpm之间。

11.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上的方法包括在该晶片开始旋转之后且在该晶片的转速到达该第一转速之前，将该预湿润溶剂供应至该晶片上。

12.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上的方法包括在该晶片的转速已达到该第一转速时，将该预湿润溶剂供应至该晶片上。

13.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上的方法包括同时进行旋转该晶片的步骤与将该预湿润溶剂供应至该晶片上的步骤。

14.一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括：

提供晶片至半导体机台中；

使该晶片在设定转速下进行旋转；

利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上；

停止供应该预湿润溶剂；以及

于该晶片上涂布光致抗蚀剂层。

15.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该半导体机台包括光致抗蚀剂涂布机台。

16.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该设定转速的范围在20rpm至1000rpm之间。

17.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该固定位置包括该位于该晶片的中央位置上方。

18.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该预湿润溶剂包括降低光致抗蚀剂消耗溶剂。

19.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上的方法包括在该晶片开始旋转之后且在该晶片的转速到达该设定转速之前，将该预湿润溶剂供应至该晶片上。

20.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上的方法包括在该晶片的转速已达到该设定转速时，将该预湿润溶剂供应至该晶片上。

21.如权利要求14所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上的方法包括同时进行旋转该晶片的步骤与将该预湿润溶剂供应至该晶片上的步骤。