[发明专利]电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备有效
申请号: | 200810080656.3 | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101256294A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 小桥裕 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;H01L27/144 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 半导体器件 显示装置 具备 电子设备 | ||
技术领域
本发明,例如,涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备。
背景技术
近年来,在显示装置上,尤其是采用了薄膜晶体管的液晶显示装置中搭载光传感器功能的技术的开发正在进展(例如专利文献1)。搭载光传感器的目的可举出3个:(1)通过对外光进行测定而对辉度等进行调整,由此谋求消耗电力降低、像质提高;(2)对背光源进行测定,对辉度或者色度进行调整;(3)对手指、光笔的位置进行辨认而作为触摸键进行使用。作为光传感器可举出薄膜晶体管,PIN(p-intrinsic-n,p-本征-n)二极管,PN二极管等。在任何情况下感光部都是硅薄膜,为了不使制造上的成本增大,优选以与构成显示的开关元件的硅薄膜同一制造工序所制造。在以薄膜晶体管、PIN二极管、PN二极管等构成光传感器的情况下,流通传感器的电流成为相应于进行照射的光的照度进行变化的光电流与以传感器的绝对温度的指数函数增大的热电流之和。因此,为了即使在比较高温时也得到正确的照度必须有效地去除该热电流。因此,存在配置用于热电流参考的被遮光的遮光传感器、与未被遮光的受光传感器的情况。
此时,在(1)、(3)的目的中需要使得背光源的光不入射到传感器地对与外光入射侧相反侧进行遮光。作为背光源的遮光材料,虽然关于(1)的目的而言,在光传感器处于显示装置的外周部的情况下,能够采用构成组件的金属框、遮光带等,但是近年来,因为设计上的制约等,所以要求在尽量靠近于显示区域、或者在显示区域的内侧设置光传感器。另一方面,关于(3)的目的而言,因为其功能,所以必须在显示区域的内侧内置光传感器。并且,在(2)的目的中,必须相反地对外光进行遮光,并使得外光不影响到背光源的照度检测地对光传感器进行遮光。由于这些要求,必须在光传感器设置某种遮光膜。
【专利文献1】特开2006-118965号公报
发明内容
若使遮光电极、透明电极与光传感器重叠进行配置,则因为由于遮光电极、透明电极的电位而使热电流变化,所以热电流不能正确地去除。本发明为了解决该问题,使施加于遮光电极与透明电极的电位最优化,并提出可以使之实现的结构、电路。
并且,因为在将遮光传感器与受光传感器置于显示区域附近的情况下,来自显示区域的光成为杂散光而一部分照射于受光传感器与遮光传感器,所以杂散光的量的光电流成为误差而被检测。并且,在受光传感器与遮光传感器间产生温度差,热电流变得不均匀,该热电流也成为误差。在本发明中对这些问题进行解决,实现具备有更高精度的光敏传感器的电光装置。
本发明,为电光装置,其具备:在第1及第2基板间夹持电光物质(在实施方式中,为向列相液晶材料922)的面板(在实施方式中,为液晶面板911),向该面板的前述第1(在实施方式中,为有源矩阵基板101)或第2基板(在实施方式中,为对向基板912)的面照射光的照明装置(在实施方式中,为背光源单元926、导光板927),对周围的光的照度进行检测的光检测部(在实施方式中,为检测电路360、受光传感器350P及其他),和相应于前述光检测部的检测结果而对前述照明装置进行控制的照明控制部(在实施方式中,为中央运算电路781、外部电源电路784);前述光检测部,设置于前述第1或第2基板;具备:被外光所照射的第1光传感器(在实施方式中,为受光传感器350P),被遮断外光的照射的第2光传感器(在实施方式中,为遮光传感器350D),与前述第1光传感器通过绝缘层俯视重叠地所构成的第1电极(在实施方式中,为背光源遮光电极611P、透明电极612P),与前述第2光传感器通过绝缘层俯视重叠地所构成的第2电极(在实施方式中,为背光源遮光电极611D、透明电极612D),和对前述第1电极的电位(在实施方式中,为布线PBT的电位VPBT(在实施方式中,为3.6V))与前述第2电极的电位(在实施方式中,为布线DBT的电位VDBT(在实施方式中,为1.4V))进行控制的电位施加部(在实施方式中,为自校正电压电路361)。
并且,更具体地,前述电位施加部,使得前述第1及/或第2光传感器的光电流量基本成为最大值地对前述第1及/或第2电极的电位进行控制。
并且,更具体地,前述第1或第2基板,具备形成于前述基板上的晶体管(在实施方式中,为第6的N型晶体管N11,第6的P型晶体管P11,第7的N型晶体管N21,第7的P型晶体管P21);前述电位施加部,通过前述晶体管的阈值电压(在实施方式中,为Vth)对施加于前述第1及/或第2电极的电位进行控制。
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