[发明专利]电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备

权利要求书

1.一种电光装置，其特征在于，具备：在第1及第2基板之间夹持有电光物质的面板，向前述面板的前述第1或第2基板的面照射光的照明装置，对周围的光的照度进行检测的光检测部，和相应于前述光检测部的检测结果而对前述照明装置进行控制的照明控制部；

前述光检测部，设置于前述第1或第2基板，

具备：

被照射外光的第1光传感器，

被遮断外光的照射的第2光传感器，

与前述第1光传感器通过绝缘层俯视重叠地构成的第1电极，

与前述第2光传感器通过绝缘层俯视重叠地构成的第2电极，和

对前述第1电极的电位与前述第2电极的电位进行控制的电位施加部。

2.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

前述电位施加部，使得前述第1及/或第2光传感器的光电流量基本成为最大值地，对前述第1及/或第2电极的电位进行控制。

3.按照权利要求2所述的电光装置，其特征在于：

前述第1或第2基板，具备形成于前述基板上的晶体管；

前述电位施加部，通过前述晶体管的阈值电压对施加于前述第1及/或第2电极的电位进行控制。

4.一种半导体器件，其形成于基板上；其特征在于，具备：

被照射外光的第1光传感器，

被遮断外光的照射的第2光传感器，

与前述第1光传感器俯视重叠地构成的第1电极，

与前述第2光传感器俯视重叠地构成的第2电极，和

向前述第1电极与前述第2电极施加使前述第1光传感器及/或第2光传感器的光电流量基本成为最大值的电位的电位施加部。

5.按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：

前述第1光传感器为光敏二极管，

前述第2光传感器为光敏二极管；

当设前述第1光传感器的阴极电极与第1电极的电位差为V1、

设前述第1光传感器的阴极电极与第1光传感器的阳极电极的电位差为VD1、

设前述第2光传感器的阴极电极与第2电极的电位差为V2、

设前述第2光传感器的阴极电极与第2光传感器的阳极电极的电位差为VD2时，

|V1-V2|＜|VD1|且|V1-V2|＜|VD2|，及/或|V1-V2|＜1V。

6.按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

前述电位差V1为V1＝0V，及/或前述电位差V2为V2＝0V，及/或前述电位差V1与VD1为V1＝VD1，及/或前述电位差V2与VD2为V2＝VD2。

7.按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：

前述第1电极与第2电极，包括：用于对光进行遮光的第1遮光电极与第2遮光电极，不对光进行遮光的第1透明电极与第2透明电极，或对光进行遮光的第1遮光电极与不对光进行遮光的第1透明电极、及对光进行遮光的第2遮光电极与不对光进行遮光的第2透明电极的任一对。

8.按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：

在前述第1遮光电极与第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮光电极间隙区域；

在与前述遮光电极间隙区域重叠的区域形成有非透明性的间隙遮光体。

9.按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：

在前述第1遮光电极与第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮光电极间隙区域；

在前述第1透明电极与前述第2透明电极之间形成有未形成透明电极的透明电极间隙区域；

前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域，在前述基板的铅垂方向上互不重叠地形成。

10.按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：

前述第1遮光电极与前述第1透明电极为同一电位，

前述第2遮光电极与前述第2透明电极为同一电位。

11.按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：

前述电位施加部具备通过晶体管所构成的自校正电压电路，

前述自校正电路构成为，输出对应于前述晶体管的阈值电压进行变化的电压，

前述输出连接于前述第1电极及/或前述第2电极。