[发明专利]一种冶金硅中杂质磷的去除方法无效
| 申请号： | 200810071424.1 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101628718A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 罗晓斌 | 申请（专利权）人： | 佳科太阳能硅（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 杂质 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：以块状或粉状的冶金硅为原料，在坩埚底部加入占冶金硅原料重量1％～5％的添加剂，然后进行真空冶炼，将磷去除。
2、如权利要求1所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：冶金硅原始磷含量为12～50ppm。
3、如权利要求1所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：添加剂是氧化钙CaO、氧化铝Al2O3、氧化硅SiO2、氧化钡BaO、高纯C中的一种或几种组成。
4、如权利要求1所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：真空冶炼采用真空中频感应炉熔炼。
5、如权利要求1所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：中频感应炉的坩埚为石英坩埚或石墨坩埚。
6、如权利要求1所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：先将1％～5％的添加剂置于坩埚底部，然后将块状或粉状冶金硅装入坩埚中，抽真空至稳定在5.0×10-1Pa以下后，开中频电源逐步加热，在硅开始熔化时缓慢加热，待硅完全熔化后加热到1450～1550℃，并精炼。
7、如权利要求6所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：硅完全熔化后加热到1450～1550℃时，精炼时间为1至5个小时。
8、如权利要求6所述一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：精炼时的真空度稳定10Pa～5.0×10-2Pa。
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