[发明专利]发光二极管出光面加工方法无效
申请号: | 200810066507.1 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101552309A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 张家寿 | 申请(专利权)人: | 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 光面 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管出光面加工方法,特别涉及一种用于发光二极管出光面粗糙化的方法。
背景技术
发光二极管是利用半导体材料中的电子与空穴结合时能量带位阶的改变,以发光的形式释放出能量。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、反映速度快、耐震性佳等优点,已广泛地应用在广告板、交通标志、日常照明等各种领域中。
图1所示为一种典型的发光二极管10,该发光二极管10包括一基架12、设于该基架12上的发光二极管芯片11,以及包覆该发光二极管芯片11并呈平面状模注成型的封装体14,该封装体14具有光滑平直的出光面15。当该发光二极管芯片11产生的光线以超过临界角的入设角射到该出光面15上时,会产生全反射现象。如此,发光二极管芯片11产生的部分光线需要在该封装体14内部经过多次反射后才能从该出光面15射出。这种全反射会使发光二极管芯片11产生的光线于该封装体14内因反射次数过多而容易被吸收造成光线损失,导致发光二极管10的出光效率较低。
为克服上述问题,部分业者将出光面15加工成粗糙的表面从而提高出光效率。然而,目前尚未有一种较好且成本较低的加工方法,可以简单方便地对发光二极管的出光面15进行粗糙化加工。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种成本较低且可提高发光二极管出光效率的发光二极管出光面加工方法。
一种发光二极管出光面加工方法,该发光二极管包括一发光二极管芯片和一对应该发光二极管芯片设置的出光面,该发光二极管出光面加工方法包括如下步骤:
(1)提供一模具,该模具包括一具有粗糙表面轮廓的加工面;
(2)将模具压向该出光面,并令模具的加工面压合在该出光面;
(3)将模具从该出光面移走从而使出光面成为粗糙表面。
通过上述方法制成的发光二极管的出光面为粗糙表面,可使发光二极管芯片产生的光线直接以漫反射方式射出,从而提高出光效率。该方法中使用具有粗糙表面轮廓的模具加工发光二极管的出光面,不但生产速度快、简单,同时模具的成本低,有利于降低生产成本。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为一种典型的发光二极管的结构示意图。
图2为按照本发明发光二极管出光面加工方法制成的发光二极管的结构示意图。
图3为本发明发光二极管出光面加工方法中利用模具加工出光面工艺的示意图。
图4为图3中模具加工完出光面之后移除模具的示意图。
具体实施方式
图2所示为按照本发明一较佳实施例中发光二极管出光面加工方法制成的发光二极管20。该发光二极管20包括一呈碗状的基座22、设于该基座22内的发光二极管芯片21、以及将该发光二极管芯片21固定在该基座22内的透明封装体24。该基座22具有凹陷的封装腔23,该封装腔23的内壁为斜向上向外倾斜的内表面。该发光二极管芯片21设于该封装腔23内,并与该基座22上的导电组件(图中未示)电性连接以便使发光二极管20可以与外部电路板等电性连接。该基座22可以由环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、或陶瓷等制成。
该封装体24将该发光二极管芯片21包覆在基座22内部,可防止该发光二极管芯片21受到外力冲击等损坏。形成该封装体24的材料可以为环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺、或压克力等。
该封装体24具有粗糙化的出光面25,该出光面25具有一定的表面粗糙度,最好大于300纳米(nm)以提高出光效率。通过设置粗糙化的出光面25,可使发光二极管芯片21产生的光线直接以漫反射方式射出,从而提高出光效率。
该发光二极管20可通过下面的方法制成,如图3及图4所示,一待加工的发光二极管包括一具有封装腔23的碗状基座22、一设于该封装腔23内的发光二极管芯片21和一与该发光二极管芯片21对应设置的出光面30,在本实施例中,该出光面30为包覆该发光二极管芯片21的封装体24的表面。该方法包括如下步骤:
(1)提供一模具40,该模具40包括一与碗状基座22的内壁相匹配的向内倾斜的侧壁44和一具有粗糙表面轮廓的加工面43;该加工面43的表面粗糙度最好大于300纳米(nm);
(2)将模具40压向该出光面30,并令模具40的加工面43压合在该出光面30;
(3)将模具40从该出光面30移走从而使出光面30成为粗糙化的出光面25。
如此,即可制成上述发光二极管20。
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