[发明专利]1.3微米波段InAs量子点材料的制备方法

权利要求书

1、一种1.3微米波段InAs量子点材料的制备方法，其特征在于，采用MOCVD外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InAs量子点层、In_xGa_1-xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470～490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0～3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20～60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490～510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5～1.5ML。

2、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在GaAs覆盖层上重复InAs量子点层、In_xGa_1-xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层，获得两重阵列量子点材料，最多重复14次，获得十五重阵列量子点材料。

3、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，In_xGa_1-xAs应变层中的In组分含量为0.05≤x≤0.02。