[发明专利]一种微型辐射探测芯片的制作方法

权利要求书

1、一种微型辐射探测芯片的制作方法，其特征在于包括下列步骤：

(一)、选用导热性好、绝缘性好、热容小的材料作为衬底，热导率≥5W/K·cm，电阻率为10¹²-10¹⁷Ω·cm；衬底厚度0.05-5mm，一部分表面粗糙度为1nm～10μm，另一部分表面粗糙度为0.2nm～5μm；

(二)、选用高吸收率、低反射率的材料作为辐射吸收材料；在衬底的粗糙度为1nm～10μm的表面生长辐射吸收材料，辐射吸收材料厚度为10nm-2mm；然后，将辐射吸收材料膜层用掩蔽材料薄膜保护；

(三)、将热敏电阻粘接于衬底的粗糙度为1nm～10μm的表面；

(四)、通过磁控溅射方法将加热丝材料沉积于衬底的粗糙度为0.2nm～5μm的表面，沉积厚度为50nm-20μm；加热丝材料薄膜生长完毕，用光刻工艺在加热丝材料薄膜上表面形成与加热丝相同的掩蔽图形，然后蚀刻形成加热丝图形，去除光刻胶；

(五)、在带有加热丝材料薄膜的衬底表面生长加热丝保护膜；加热丝保护膜材料选用导热性好、绝缘性好、热容小、易成膜、可图形化、抗老化性好的材料；然后在加热丝保护膜上表面光刻，使加热丝上方区域的光刻胶保留，作为掩蔽层；最后用蚀刻去除其余部分的保护膜，去除光刻胶；

(六)、去除辐射吸收材料膜层上表面的掩蔽材料薄膜。

2、根据权利要求1所述的微型辐射探测芯片的制作方法，其特征在于：

所述步骤(一)中，衬底选用金刚石片；

所述步骤(二)中，采用微波等离子体化学气相沉积或热阴极直流等离子体化学气相沉积或溅射技术或涂敷技术或烧结技术或电镀方法在衬底表面制备辐射吸收材料膜层，辐射吸收材料是碳纳米管、黑色掺硼金刚石、高石墨相金刚石、碳吸收黑或镍磷合金吸收黑材料；

所述步骤(四)中加热丝材料选用康铜或锰铜，通过或直流磁控溅射或射频溅射或射频磁控溅射方法制备加热丝；

所述步骤(五)中加热丝保护膜材料选用SiO₂或Al₂O₃或Si₃N₄；采用溅射或蒸发或涂覆的方法在带有加热丝材料薄膜的衬底表面制备加热丝保护膜。