[发明专利]高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法无效
| 申请号： | 200810044629.0 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101281806A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 赵勇;蒲明华;张红;李果;雷鸣;程翠华 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01B13/00;H01L39/24 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高分子 辅助 沉积 制备 高温 超导 涂层 导体 缓冲 方法 | ||
1、一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：
a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，然后溶解于有机溶剂乙酸或甲醇或乙二醇甲醚中，形成无水溶液；稀土为钇(Y)、镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的一种；
b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)或聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)或聚乙烯醇(PVA)或聚氧化乙烯(PEO)形成成胶体；
c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上，并干燥；
d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中烧结成相，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温以1-2℃/min的速率降至室温，即得。
2、如权利要求1所述的一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其特征是：在进行所述d步的烧结成相处理前，还进行热分解处理，其具体作法为：将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中，使炉温从室温升至200℃-230℃，再以0.1-1℃/min的速度升至280℃-400℃，保温15-20分钟。
3、如权利要求1所述的一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其特征是：所述c步中胶体涂敷与干燥的具体作法为：将胶体滴在基片上，用匀胶机旋转，使胶体均匀涂敷在基片上，干燥温度为100℃-200℃。
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