[发明专利]一种高压LDMOS器件无效

专利信息
申请号: 200810044070.1 申请日: 2008-12-09
公开(公告)号: CN101752416A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 钱文生;丁宇 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 陈履忠
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 ldmos 器件
【权利要求书】:

1.一种高压LDMOS器件,包括栅极(22)和漏极(23),所述漏极(23)在低压N阱(132)内,所述低压N阱(132)在高压N阱(122)内,其特征是:所述高压N阱(122)之上且在栅极(22)和漏极(23)之间的部分具有氧化硅(161),所述氧化硅(161)之上具有多晶硅(171),所述氧化硅(161)和多晶硅(171)的两侧壁具有氮化硅侧墙(18)。

2.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征是:所述高压N阱(122)或低压N阱(132)之上且在栅极(22)和漏极(23)之间的部分仅有氧化硅(161)、多晶硅(171)和氮化硅侧墙(18)。

3.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征是:所述多晶硅(171)和氧化硅(161)仅在漂移区(101)的上方。

4.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征是:所述栅极(22)和栅氧化层(16)仅在漂移区(101)之外区域的上方。

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