[发明专利]一种高压LDMOS器件无效
申请号: | 200810044070.1 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101752416A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 钱文生;丁宇 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 陈履忠 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 ldmos 器件 | ||
1.一种高压LDMOS器件,包括栅极(22)和漏极(23),所述漏极(23)在低压N阱(132)内,所述低压N阱(132)在高压N阱(122)内,其特征是:所述高压N阱(122)之上且在栅极(22)和漏极(23)之间的部分具有氧化硅(161),所述氧化硅(161)之上具有多晶硅(171),所述氧化硅(161)和多晶硅(171)的两侧壁具有氮化硅侧墙(18)。
2.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征是:所述高压N阱(122)或低压N阱(132)之上且在栅极(22)和漏极(23)之间的部分仅有氧化硅(161)、多晶硅(171)和氮化硅侧墙(18)。
3.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征是:所述多晶硅(171)和氧化硅(161)仅在漂移区(101)的上方。
4.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征是:所述栅极(22)和栅氧化层(16)仅在漂移区(101)之外区域的上方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810044070.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管
- 下一篇:垂直轴式风力发电机的叶片
- 同类专利
- 专利分类