[发明专利]太阳能电池背电极钝化封装方法无效
申请号: | 200810042671.9 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101399295A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 包健;夏芃;施松林 | 申请(专利权)人: | 上海拓引数码技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓 琪 |
地址: | 200234上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 钝化 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池封装方法,特别涉及一种太阳能电池背电极钝化封装方法。
背景技术
在非晶硅薄膜太阳电池中,在一块电池单晶基片上经过激光刻蚀后,在背电极处有很大的区域直接与外界接触。因此,需要对它进行保护,也就是封装,封装中的材质对于器件的防水、抗氧、绝缘钝化性能非常重要。此外,由于电池的刻蚀表面与内部结构的差异(表面晶格原子终止而存在悬挂键,即未饱和的键)导致表面与内部性质的不同,而其表面状况对器件的性能有重要作用。表面只要有微量的沾污(如水汽、尘埃、氧气等),就会影响电学性质,如表面态和短路等,从而影响到非晶硅太阳电池的效率。为提高器件性能的稳定性和可靠性,必须把电池与周围的环境隔离开来,以增强对外来物质的阻挡能力,控制和稳定表面的特征,保护电池内部的互连以及防止器件受到机械和化学损伤。
发明内容
本发明的目的是:提供一种太阳能电池背电极钝化封装方法,能够保护电池内部结构,提高电池稳定性和可靠性。
本发明的构思是:在半导体器件的表面敷以适当的材料作为钝化保护层。钝化膜一般是与材料直接接触的,其作用在于控制和稳定半导体表面的电学性质,使器件稳定工作。钝化膜通常是制作在背电极层最后的PIN(薄膜半导体层)、TCO层(透明导电氧化物层)、金属(如Al,Ag)互连布线层上面,它能保护和稳定电池芯片的介质薄膜,需具有隔离并为非晶硅太阳能电池提供机械保护的作用。它既是外来杂质的壁垒,又使器件表面具有良好的力学性能。基于氧气和水汽进入背电极的沟道会对电池性能产生劣化影响,我们使用三氧化二铝,二氧化硅,聚酰亚胺对薄膜电池的背电极进行钝化保护。然后,用不同的胶粘剂对钝化后的薄膜电池进行封装。
为达到上述目的,本发明的技术方案是:一种太阳能电池背电极钝化封装方法,包括
步骤一、在激光刻蚀之后,在背电极层及其沟道表面包覆一层钝化层;
步骤二、在钝化层背面叠加胶粘剂层和基板,并层压在一起。
优选地,步骤一中,所述包覆钝化层的方法是通过磁控溅射三氧化二铝或二氧化硅。
优选地,步骤一中,所述钝化层的方法是通过等离子气相沉积三氧化二铝或二氧化硅。
优选地,所述等离子气相沉积的反应温度为200~500℃。
优选地,步骤一中,所述钝化层的方法是先将聚酰胺酸溶液涂敷成膜,再经加热固化使聚酰胺酸转化为聚酰亚胺。
优选地,步骤一中,聚酰胺酸溶液通过涂敷、喷涂或旋涂的方法。
优选地,步骤一中,加热固化的温度为300℃以下。
优选地,所述的胶粘剂层是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、紫外光固胶,酚醛树脂、有机硅树脂中的一种。
优选地,所述胶粘剂层通过手工涂敷或机械自动涂敷,涂敷的方法包括浸渍、喷涂或旋涂。
优选地,所述钝化封装层的厚度是10~1000nm。
本发明中的三种材料都是环境友好材料,对环境无毒无污染。
三氧化二铝硬度大且带韧性,在背电极处进行沉积薄膜,可以得到一层致密的三氧化二铝薄膜层,达到阻止水汽和氧气,可以起到对背电极起到保护作用,克服不稳定性,还能防止电池层被擦伤。
二氧化硅薄膜是半导体器件表面最常用的表面保护和钝化膜。二氧化硅薄膜的制备方法很多,如等离子体气相沉积、磁控溅射、真空蒸发等。不同方法制备的薄膜具有不同的特点,形成的钝化层可以起到和三氧化二铝的类似作用。
聚酰亚胺具有粘度低、填充流动性好等特点。聚酰亚胺钝化膜可有效阻滞电子迁移、防止腐蚀,用于表面钝化、高密度封装器件的应力缓冲内涂层,以及层间的电绝缘材料,增加器件的封装可靠性,保护器件免受湿气、离子污染物、辐射以及机械振动的影响。而且,聚酰亚胺材料的成型工艺比无机材料要简单,适于大面积、流水线生产,制造成本低。所以,聚酰亚胺钝化膜可有效阻滞电子迁移、防止腐蚀,具有较强的机械性能以及耐化学腐蚀性能,也可有效地遮挡潮气,增加元器件的抗潮湿能力。
较低的衬底温度是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的主要优点,与单独的热反应相比,PECVD能提高淀积速率,制造有独特成分和特性的膜。淀积的氧化膜必须表现出相同的厚度和组份,对衬底良好的附着性,低应力防止开裂,具备适应高介质击穿的良好完整性,多层系统中一致的台阶覆盖。通过控制和优化淀积参数,包括功率密度、频率、占空比、气体组成、流速、温度和压力等因素来沉积钝化薄膜。
本发明由于采用了以上技术方案,使之与现有技术相比,具有以下优点和优良效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的