[发明专利]利用真空蒸发在玻璃基片上制备蓝色铝膜的方法无效
| 申请号: | 200810042656.4 | 申请日: | 2008-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN101671118A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
| 发明(设计)人: | 许硕 | 申请(专利权)人: | 许硕 |
| 主分类号: | C03C17/09 | 分类号: | C03C17/09 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 210093江苏省南京市汉口路*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 真空 蒸发 玻璃 基片上 制备 蓝色 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用真空蒸发在玻璃基片上制备蓝色铝膜的方法。本制备方法不含任何添加剂,制备出的铝膜成份为纯铝,可用于有色涂层或光学玻璃涂层。
背景技术
铝是蒸发镀膜中被广泛应用的一种金属。在已有的关于真空镀膜制备铝膜的研究中,研究者的着眼点主要放在,通过调节镀膜的工艺参数来改善铝膜的质量,提高成膜速率。但是对怎样通过调节工艺参数来制备蓝色铝膜的方法并未涉及。
发明内容
本发明公开一种利用真空蒸发在玻璃基片上制备蓝色铝膜的方法,通过调节真空蒸发镀膜的工艺参数,并引进退火工艺,在不添加其他成份的情况下,制备蓝色铝薄膜。
利用真空蒸发在玻璃基片上制备蓝色铝膜的方法,包括以下步骤:在真空蒸发镀膜前首先用去离子水洗净玻璃基片和铝丝,钨丝,安装钨篮和玻璃基片,然后抽真空,真空蒸发镀膜;其特征在于:在镀膜前使用烘烤灯加热基片,使其温度达到400℃以上;在镀膜后采用退火工艺,退火炉在99.99%高纯Ar气保护下,在退火炉中将薄膜以每分钟升高20度的速度缓慢加热到400度以上,然后缓慢冷却。
所述的对玻璃基片的清洗:清洗药剂由5%的重铬钾饱和水和95%的浓硫酸混合而成;铝丝的清洗采用盐酸分析纯;采用超声清洗;超声清洗的功率:600W-900W;超声清洗的频率:28kHZ-40kHZ;后采用慢提拉脱水,循环风烘干:温度95摄氏度-110摄氏度。
所述的对钨丝的清洗:先用自来水冲洗表面的灰尘,再放入浓度为10%-20%的氢氧化钠溶液中煮10分钟左右除去表面的氧化物和油迹,直到钨丝表面发亮为止,后用自来水冲洗,去离子水漂洗,烘干备用。
所述的真空蒸发镀膜:在蒸发前将放于钨篮中的铝箔预熔,同时打开烘烤灯,对玻璃基片加热10分钟,使基片温度达到400度以上;当真空度达到5×10-3Pa以上,迅速升温而快速蒸发,蒸发温度:1300℃~1400℃,直到将材料全部蒸发光。
退火工艺目的是去除残余应力,使膜层再结晶。
蒸发温度是影响膜层质量的重要因素之一,铝丝在1300℃~1400℃的温度下融化并蒸发成气态铝,进行预熔时,钨加热器和铝箔会放出大量的气体,真空度反会下降,因此,为避免蒸发材料跌落并清除杂质,开始宜缓慢升温,待真空度恢复到5×10-3Pa以上时再加大电流升温蒸发。
蓝色铝膜、普通铝膜和玻璃基底三者元素组成对比表如下:
本发明的优点和积极效果是:采用真空蒸发镀膜法制备的铝薄膜颜色为天蓝色,随着基片温度的升高,膜的颜色呈银亮色、蓝色到白色的过渡;蓝色铝膜、普通铝膜和玻璃基底XRF对比,可以确定蓝色铝膜和普通铝膜在元素组成上没有什么不同,没有在蓝色铝膜中找到很明显的杂质元素,本发明工艺简洁,制备方法不含任何添加剂,制备出的铝膜成份为纯铝,可用于有色涂层或光学玻璃涂层。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1:
1.清洗玻璃基片和铝丝,钨丝
对玻璃基片的清洗:清洗药剂由5%的重铬钾饱和水和95%的浓硫酸混合而成;超声清洗的功率:900W;超声清洗的频率:28kHZ;对铝丝的清洗采用盐酸分析纯;钨丝的清洗:采用的铝丝为99.99%的纯铝;先用自来水冲洗表面的灰尘,再放入浓度为10%-20%的氢氧化钠溶液中煮10分钟左右除去表面的氧化物和油迹,直到钨丝表面发亮为止,后用自来水冲洗,去离子水漂洗,烘干备用。
2.安装钨篮:将钨篮加热器固定在两电极支架上,将裁成细丝的铝箔放于钨篮中;将被镀玻璃片放在镀膜支架上,降下钟罩。
3.抽真空:真空度:5×10-3Pa以上;
4.开烘烤灯,加热玻璃基片;
5.蒸发镀膜:在蒸发前将放于钨篮中的铝箔预熔,同时对玻璃基片加热10分钟,使基片温度达到400度左右;当真空镀达到5×10-3Pa以上,然后迅速升温而快速蒸发;蒸发温度:1300℃~1400℃,直到将材料全部蒸发光。
6.退火处理:在镀膜后采用退火工艺,退火炉在99.99%高纯Ar气保护下,在退火炉中将薄膜以每分钟升高20度的速度缓慢加热到400度,然后停止加热自然冷却。
样品描述:实例1的样品为预期的天蓝色铝膜,膜层颜色均匀。
实施例2:
按所述相同步奏重复进行实施例1,所不同的是:
加热基片:在镀膜前打开烘烤灯,加热15分钟,使基片温度达到500度左右;
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