[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层；

刻蚀阻挡层，形成浅沟槽图形；

在阻挡层上形成掩膜层；

在掩膜层上形成光刻胶层后，去除外围电路区的光刻胶层；

以光刻胶层为掩膜，去除外围电路区的掩膜层；

去除像素单元区的光刻胶层后，沿浅沟槽图形刻蚀像素单元区的掩膜层和半导体衬底，形成第一浅沟槽，刻蚀外围电路区的半导体衬底，形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；

在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除掩膜层和阻挡层；

在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。

2.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述掩膜层材料是氧化硅。

3.根据权利要求2所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为200埃～400埃。

4.根据权利要求3所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成掩膜层的方法为化学气相沉积法或物理气相沉积法。

5.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深200埃～400埃。

6.一种CMOS图像传感器，包括：包含像素单元区和外围电路区的半导体衬底，位于含像素单元区半导体衬底内的第一浅沟槽，位于外围电路区半导体衬底内的第二浅沟槽，填充满第一浅沟槽和第二浅沟槽的绝缘氧化层，位于半导体衬底上的晶体管，其特征在于，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深。

7.根据权利要求6所述CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一浅沟槽比第二浅沟槽深200埃～400埃。

8.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供包含第一区域和第二区域的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层；

刻蚀阻挡层，形成浅沟槽图形；

在阻挡层上形成掩膜层；

在掩膜层上形成光刻胶层后，去除第一区域的光刻胶层；

以光刻胶层为掩膜，去除第一区域的掩膜层；

去除第二区域的光刻胶层后，沿浅沟槽图形刻蚀第二区域的掩膜层和半导体衬底，形成第一浅沟槽，刻蚀第一区域的半导体衬底，形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；

在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除掩膜层和阻挡层；

在第一区域和第二区域的半导体衬底上形成晶体管。

9.根据权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层材料是氧化硅。

10.根据权利要求9所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为200埃～400埃。

11.根据权利要求10所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成掩膜层的方法为化学气相沉积法或物理气相沉积法。

12.根据权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深200埃～400埃。