[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法有效
| 申请号： | 200810041370.4 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645419A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;朱虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底；
在半导体衬底上形成第一垫氧化层；
去除外围电路区的第一垫氧化层；
在第一垫氧化层和半导体衬底上形成第二垫氧化层；
刻蚀外围电路区的第二垫氧化层和半导体衬底，像素单元区的第二垫氧化 层、第一垫氧化层和半导体衬底，在外围电路区形成第一浅沟槽，在像素单 元区形成第二浅沟槽，所述第一浅沟槽比第二浅沟槽深；
在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除第二垫氧化层和 第一垫氧化层；
在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。
2.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第 一垫氧化层的厚度为200埃～400埃。
3.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第 二垫氧化层的厚度为80埃～150埃。
4.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第 一浅沟槽比第二浅沟槽深200埃～400埃。
5.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第 一垫氧化层之后，去除外围电路区的第一垫氧化层之前，还包括：在第一 垫氧化层上形成光刻胶层；
去除外围电路区的光刻胶层。
6.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第 二垫氧化层上还形成有阻挡层。
7.根据权利要求6所述CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻 挡层的材料为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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