[发明专利]制备透射电子显微镜样品的方法

权利要求书

1.一种用于集成电路制造的样品分析的方法，包括：

提供具有厚度、宽度和长度的集成电路芯片，所述集成电路芯片具有沿所述厚度的方向延伸的至少一个伸长结构，所述伸长结构垂直于所述宽度的方向和长度的方向，所述伸长结构具有结构宽度和结构长度，所述伸长结构在所述结构长度的方向上穿过所述集成电路芯片的一个侧壁并沿所述厚度的方向而延伸，所述伸长结构为沟槽结构；

以沿垂直于所述结构长度的方向的方式从所述厚度的部分去除一所述集成电路芯片的薄片，所述薄片沿着所述结构长度的方向穿过整个的所述一个伸长结构，以使得提供所述伸长结构的所述薄片的厚度的部分具有基本均匀的样品厚度；以及

使用透射电子显微镜来采集所述薄片的部分的一个或多个图像。

2.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述均匀的样品厚度小于0.1微米。

3.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述伸长结构为电容结构。

4.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述伸长结构为层叠式通孔结构。

5.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述集成电路芯片还具有多个伸长结构，并且每个伸长结构平行于其它伸长结构。

6.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述去除的步骤是通过聚焦离子束来提供的。

7.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述伸长结构具有等于或大于10的结构长宽比。

8.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述伸长结构包括选自金属、电介质或多晶硅的材料。

9.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：还包括处理运用透射电子显微镜抓取的一个或多个图像。

10.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：还包括将源自所述一个或多个图像的信息应用于所述集成电路制造。

11.一种用于集成电路制造的样品分析的方法，包括：

提供具有厚度、宽度和长度的集成电路芯片，所述集成电路芯片具有多个沿厚度方向延伸的伸长结构，所述伸长结构垂直于所述长度的方向和宽度的方向，每个伸长结构具有结构宽度和结构长度，所述伸长结构在所述结构长度的方向上穿过所述集成电路芯片的一个侧壁并沿所述厚度的方向而延伸，所述伸长结构为沟槽结构；

以沿垂直于每个伸长结构的方向的方式从所述厚度的部分去除一所述集成电路芯片的薄片，所述薄片沿着每个结构长度穿过每个整个的伸长结构，以使得每个伸长结构具有基本均匀的样品厚度；以及

使用透射电子显微镜采集透过所述薄片的部分的一个或多个图像。

12.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述基本均匀的样品厚度小于0.1微米。

13.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：每个所述伸长结构为电容结构。

14.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：每个所述伸长结构为层叠式通孔结构。

15.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：每个所述伸长结构平行于其它伸长结构。

16.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：所述去除的步骤是通过聚焦离子束来提供的。

17.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：每个伸长结构具有等于或大于10的结构长宽比。

18.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：每个伸长结构包括选自金属、电介质或多晶硅的材料。

19.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：还包括对通过透射电子显微镜采集的所述一个或多个图像进行处理。

20.根据权利要求11所述的用于集成电路制造的样品分析的方法，其特征在于：还包括将源自所述一个或多个图像的信息应用于所述集成电路制造。