[发明专利]灰度掩模工艺中的刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种刻蚀方法，特别是涉及一种灰度掩模工艺中的刻蚀方法。

背景技术

目前在TFT-LCD(薄膜晶体管液晶装置)制造业中，采用4层掩模板曝光的生产线上，采用一块硅岛(Island)和漏极(Drain)掩模板代替5层掩模板曝光技术中的硅岛层与漏极层掩模板，对基板进行曝光同时形成硅岛和源极(Source)、漏极图案。采用了该曝光方式的工艺技术在在当前硅岛干刻蚀(Island-Dry Etching，I-DE)工序后还要进行光刻胶干刻蚀(Photo Resist-Dry Etching，PR-DE)的工艺方式，目前硅岛干刻工序的蚀刻蚀方法为突破(Break Through，BT)、主刻蚀(Main Etching，ME)、灰化(Ashing，ASH)三步刻蚀工艺，很大程度降低了生产效率，同时PR-DE步刻蚀均一性较差。

现有工艺技术中需要在主刻蚀步骤前增加突破步骤以清除刻蚀界面异物，从而产生主刻蚀过程中刻蚀时间较长的问题。同时灰化步骤中单纯使用氧气(O₂)，不仅刻蚀时间长，而且使得面边缘与中央刻蚀速率差异较大，刻蚀面内均一性很差。现有的刻蚀速率的参数如表1所示。

表1

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中刻蚀时间长、刻蚀面内均一性很差的缺陷，提供一种灰度掩模工艺中的刻蚀方法，该刻蚀方法降低刻蚀时间，提高面内刻蚀的均一性。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种灰度掩模工艺中的刻蚀方法，该刻蚀方法是通过一干刻设备完成的，其包括以下步骤：S1、该干刻设备先同时完成突破和灰化的步骤；S2、再完成主刻蚀的步骤；S3、最后完成除电的步骤。

其中，该刻蚀方法是在含有氧气和六氟化硫气体的环境下完成的。

其中，该氧气和六氟化硫气体的摩尔比为10∶1。

其中，该步骤S1、S2为硅岛干刻蚀的工序。

本发明的积极进步效果在于：新工序极大地提高了刻蚀速率和产能，同时提高了面内刻蚀的均一性，提高产品良率；引入SF₆(六氟化硫)气体，增加了刻蚀过程中物理刻蚀作用，同时由于物理刻蚀作用，面分布中央强于面边缘；新的刻蚀条件同时可以用一个步骤可以做到以前两步才能完成的刻蚀，大大地降低了作业时间。

附图说明

图1为本发明刻蚀方法的方框图。

具体实施方式

下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。

本发明灰度掩模工艺中的刻蚀方法，即本发明不改变原有工艺路线，将原来的硅岛干刻蚀(I-DE)三步整合成为两步新的工序，该刻蚀方法是通过一干刻设备完成的，具体步骤为：S1、该干刻设备先同时完成突破(BT)和灰化(ASH)的步骤；S2、再完成主刻蚀(ME)的步骤；S3、最后完成除电的步骤。其中，上述步骤S1、S2为硅岛干刻蚀的工序。新刻蚀方式中，在具有氧气(O₂)的条件下再引入SF₆(六氟化硫)气体，该SF₆气体增加了刻蚀过程中物理刻蚀作用，同时由于物理刻蚀作用，面分布中央强于面边缘。刻蚀方法具体的条件如表2所示，其中，SF₆气体和氧气的摩尔比为1∶10。

表2