[发明专利]一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法

权利要求书

1.一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法，包括对出光窗口上钝化层的刻蚀，其特征是在出光窗口(2)表面的第一材料层(4)生长完并经第一步刻蚀工序后，在每次进行刻蚀工序前再每次生长一层材料层(5、6)，其中第一材料层(4)、第二材料层(5)、第三材料层(6)定义为一种或多种材料的层叠材料层结构。

2.如权利要求1所述的一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法，其特征是刻蚀均是当第一次生长的材料层(4)生长完，涂抹光刻胶(3)曝光显影并去除被显影的光刻胶(3)后进行第一步刻蚀，在所得的第一材料层(4)结构上再次生长一层第二材料层(5)并进行再次刻蚀，也可在所获得的第二材料层(5)的基础上再次生长一层第三材料层(6)，或重复多次生长刻蚀循环过程。

3.如权利要求1所述的一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法，其特征是所说材料层的厚度为20-20000nm。

4.如权利要求1所述的一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法，其特征是出光窗口(2)曝光显影后为网状分布且形状为三角形、正方形、六角形、椭圆形、圆形。