[发明专利]一种蓝光LED芯片无效

申请号：	200810014838.0	申请日：	2008-03-21
公开（公告）号：	CN101246939A	公开（公告）日：	2008-08-20
发明（设计）人：	王丕龙;刘凯;孙夕庆	申请（专利权）人：	中微光电子（潍坊）有限公司
主分类号：	H01L33/00	分类号：	H01L33/00
代理公司：	济南舜源专利事务所有限公司	代理人：	李江
地址：	261061山东省***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	一种 led 芯片
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【权利要求书】：

1、一种蓝光LED芯片，包括电流扩散层(7)，其特征是：所述电流扩散层(7)用镍酸镧透明氧化物制成。

2、如权利要求1所述的一种蓝光LED芯片，其特征是：所述蓝光LED芯片包括衬底(1)、缓冲层(2)、N-GaN层(3)、InGaN/GaN多量子阱层(5)、P-GaN层(6)，所述N-GaN层(3)上设有N电极(4)，所述P-GaN层(6)上设有P-电极(8)，所述电流扩散层(7)设置在P-电极(8)与P-GaN层(6)之间。

3、如权利要求2所述的一种蓝光LED芯片，其特征是：所述电流扩散层(7)的厚度为40nm～100nm。

4、如权利要求3所述的一种蓝光LED芯片，其特征是：所述电流扩散层(7)的厚度为55nm～65nm。

5、如权利要求4所述的一种蓝光LED芯片，其特征是：所述电流扩散层(7)的厚度为60nm。

6、如权利要求3所述的一种蓝光LED芯片，其特征是：所述电流扩散层(7)的电阻率为12.5*10^-4Ωcm～1*10^-4Ωcm。

7、如权利要求3所述的一种蓝光LED芯片，其特征是：所述电流扩散层(7)的可见光透过率为96％～83％。

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