[发明专利]一种磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法

权利要求书

1、一种磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：该方法采用有机金属化合物为碳源和催化剂，其同时作为碳源和催化剂前驱体，有机金属化合物为有机铁、钴或镍的化合物，有机金属化合物催化剂直接升华；或者，有机金属化合物催化剂升华并与含硫生长促进剂在气态下充分混合均匀；然后，在缓冲气体夹带下进入反应区生成磁性金属颗粒修饰碳纳米管，最终反应温度700℃～1350℃，保温时间5～180min。

2、按照权利要求1所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：有机金属化合物为易挥发的有机金属化合物，其挥发温度为100～350℃。

3、按照权利要求1所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：有机金属化合物为二茂铁、二茂镍或二茂钴之一种或两种以上。

4、按照权利要求1所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：含硫生长促进剂为硫粉或含硫有机化合物，硫与有机金属化合物中的铁、钴或镍的摩尔比为0～1/4。

5、按照权利要求4所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：硫与有机金属化合物中的铁、钴或镍的摩尔比优选为0～1/10。

6、按照权利要求1所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：缓冲气体为氢气、氩气、氮气之一种或两种以上的混合气体。

7、按照权利要求6所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：在标准大气压下，缓冲气体在反应区的流速为0.16～3m/s。

8、按照权利要求6所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：在标准大气压下，缓冲气体在反应区的流速优选为1.2～2m/s。

9、按照权利要求1所述的磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法，其特征在于：保温时间优选为5～20min。