[发明专利]一种提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法有效
申请号: | 200810010983.1 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101555161A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 张劲松;田冲;杨振明;曹小明;刘强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B41/80 | 分类号: | C04B41/80 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 碳化硅 泡沫 陶瓷 高温 氧化 性能 表面 改性 方法 | ||
1.一种提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法,其特征在于:
(1)将碳化硅泡沫陶瓷在1150-1300℃下预氧化处理10-80小时;
(2)经步骤(1)处理的碳化硅泡沫陶瓷不经降温过程,换以清洁的惰性气氛,继续在1150-1300℃温度下保温处理50-150小时,然后缓慢冷却至室温,所述缓慢冷却指降温速度不高于2℃/min。
2.根据权利要求1所述的提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法,其特征在于:所述步骤(1)中,碳化硅泡沫陶瓷在清洁的氧化气氛中,在1150-1300℃下预氧化处理10-80小时,使得泡沫陶瓷的泡沫筋表面生成一层致密的SiO2膜,SiO2膜厚度为5-30μm。
3.根据权利要求1所述的提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法,其特征在于:所述材料升温速度不能过快,应在2℃/min以下,氧化气体为体积纯度是99.99%的高纯氧,并经干燥处理,流量为0.5-3L/min。
4.根据权利要求1所述的提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法,其特征在于:所述清洁的惰性气氛为经干燥处理的体积纯度是99.99%的高纯Ar气,流量为0.5-1L/min。
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