[发明专利]对光不稳化合物、低聚物探针阵列和基片、及其制造方法

权利要求书

1.一种包括由下面化学式1表示的化合物的对光不稳化合物：

化学式1

其中，X是

Y是卤素、羟基，

B是腺嘌呤、胞嘧啶、鸟嘌呤、胸腺嘧啶或尿嘧啶，

R₃是氢、氨基、烷基或膦，

R₄是氢、羟基、-OR₅，或-SR₅，

R₅是烷基、烯基、缩醛或甲硅烷基醚基，

R₆是烷基、苯基或硫，

p在0到5范围内，且

q在0到10范围内。

2.根据权利要求1的对光不稳化合物，其中Y是

3.根据权利要求2的对光不稳化合物，其中R₃是氢或具有下面化学式的亚磷酰胺，

其中R₇具有是1到4个碳数目的相同或不同的独立直链或支链的烷基。

4.根据权利要求2的对光不稳化合物，其中R₄是O-甲基，O-乙基，O-芳基，O-四氢吡喃基，O-甲氧基四氢吡喃基，或O-叔丁基二甲基甲硅烷基。

5.根据权利要求1的对光不稳化合物，其中Y是并且q在3到10的范围内。

6.一种用于低聚物探针阵列的基片，包括：

衬底；和

直接或通过接头与衬底偶联的由下面的化学式2表示的对光不稳的保护基，

化学式2

其中X是且

Y是直接或通过接头与衬底偶联的偶联位置。

7.根据权利要求6的用于低聚物探针阵列的基片，其中该基片包括在衬底上或之内的3维表面，并且对光不稳的保护基团与衬底的3维表面偶联。

8.一种低聚物探针阵列，包括：

低聚物探针；

包括偶联低聚物探针的活性区和不偶联低聚物探针的非活性区的衬底；和

由下面化学式2表示的且与衬底在非活性区偶联的对光不稳的保护基团，

化学式2

其中X是且

Y是直接或通过接头与衬底偶联的偶联位置。

9.根据权利要求8的低聚物探针阵列，其中活性区包括3维表面。

10.一种由下面的化学式1表示的对光不稳化合物的制造方法，包括：将和光气衍生物与Y偶联，

化学式1

其中X是

Y是卤素、羟基，

B是腺嘌呤、胞嘧啶、鸟嘌呤、胸腺嘧啶或尿嘧啶，

R₃是氢、氨基、烷基或膦，

R₄是氢、羟基、-OR₅，或-SR₅，

R₅是烷基、烯基、缩醛或甲硅烷基醚基，

R₆是烷基、苯基或硫，

p在0到5范围内，且

q在0到10范围内。

11.根据权利要求10的制造对光不稳化合物的造方法，其中所述光气衍生物包括光气、双光气或三光气中的一种。

12.根据权利要求10的对光不稳化合物的制造方法，其中

通过利用钯催化剂使与CO偶联而形成，其中Z是卤素。

13.一种用于低聚物探针阵列的制造方法，包括：

提供衬底；和

直接或通过接头偶联由下面的化学式2表示的对光不稳保护基和衬底，

化学式2

其中X是且

Y是直接或通过接头与衬底偶联的偶联位置。

14.根据权利要求13的用于低聚物探针阵列的基片制造方法，其中该基片包括在衬底中或之上的3维表面。