[发明专利]具有磁场发生器的微电子传感器设备以及载体

权利要求书

1.一种用于操纵可替换载体(111-511)中的样品的微电子传感器设备(100，200)，其包括：

a)用于在目标区域(110，210)内生成磁场的一定数目的n≥1个磁场发生器(141-143，241-243)；

b)控制单元(150，250)，其具有针对表示由磁场发生器(141-143，241-243)导致的磁效应的检测信号的输入端(151，251)，其中控制单元被适配成关于目标区域(110，210)内的载体(111-5111)的存在和/或状态评估这些检测信号。

2.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)耦合到磁场发生器(141-143，241-243)，并且检测信号与磁场发生器的互耦和/或自感相关。

3.根据权利要求1的微电子传感器设备(200)，

其特征在于，检测信号由附着到载体(211-511)上的至少一个磁场传感器(221-521，222，223)提供。

4.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)被适配成控制磁场发生器(141-143，241-243)，从而使其磁场在目标区域(110，210)内的预定位置处抵消。

5.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，目标区域(110，210)位于两个磁场发生器(141-143，241-243)之间。

6.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，载体(111-511)包括可以在其中提供样品、特别是包含磁性粒子(1)的样品的样品腔室(2)。

7.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)被适配成确定位于载体(111-511)内或者位于该载体处的磁交互性物质(1，120)的位置。

8.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)包括用于调制磁场发生器(141-143，241-243)的至少其中一个的磁场的调制器(154)。

9.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)包括电压传感器(152)，其用于感测两个端子、特别是磁场发生器(141-143，241-243)的至少其中一个的两个端子之间的电压。

10.根据权利要求9的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)包括用于特别在时域或频域内评估所测量的电压的评估模块(153)。

11.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，控制单元(150，250)被适配成根据其评估结果来控制微电子传感器设备的各组件(130，131)。

12.根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，微电子传感器设备包括光源(130)，其用于把输入光束(L1)发射到载体(111-511)中，从而使得输入光束在载体(111-511)的接触表面(112)处被全内反射为输出光束(L2)。

13.根据权利要求12的微电子传感器设备(100，200)，

其特征在于，微电子传感器设备包括用于确定输出光束(L2)的特征参数的光检测器(131)。

14.用于根据权利要求1的微电子传感器设备(100，200)的载体(111-511)，

其包括位于固定相对位置处的磁交互性标记(120)和/或磁场传感器(221-521，222，223)。

15.根据权利要求14的载体(211-511)，

其特征在于，磁场传感器包括：线圈(221-521，222，223)；Hall传感器；平面Hall传感器；磁通门传感器；SQUID；磁共振传感器；磁致伸缩传感器；或者诸如GMR、TMR或AMR元件的磁阻传感器。