[发明专利]离子注入机中束缚电子的技术

权利要求书

1.一种在离子注入机中束缚电子的装置，所述装置包含：

沿离子束路径的至少一部分定位的磁体的第一阵列以及磁体的第二阵列，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反；

其中所述第一阵列中的至少一磁体具有面向所述第二阵列中的相应磁体的相反磁极的磁极，以及其中磁体的所述第一阵列以及磁体的所述第二阵列中的至少一部分以径向场型配置，以覆盖通过一束线磁体的所述离子束路径的部分，且所述径向场型配置的磁体中的至少一些以相对于离子束轨道呈弯曲来减小径向磁场分量。

2.根据权利要求1所述的装置，其中磁体的所述第一阵列与磁体的所述第二阵列在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场以束缚电子，且其中所述勾形磁场的与所述第一阵列与所述第二阵列之间的中间平面相平行的分量小于所述勾形磁场的与所述中间平面相垂直的分量。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述磁体的磁极在所述第一阵列以及所述第二阵列中的每一者内被交替，使得所述勾形磁场的与所述中间平面相垂直的所述分量具有交替的极性。

4.根据权利要求1所述的装置，其中磁体的所述第一阵列与所述第二阵列中的至少一者为永磁体。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一阵列中的所述至少一磁体以及所述第二阵列中的所述相应磁体对准所述离子束路径。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一阵列中的所述至少一磁体以及所述第二阵列中的所述相应磁体垂直于所述离子束路径。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一阵列中的所述至少一磁体以及所述第二阵列中的所述相应磁体定形成可减小与所述离子束路径垂直且与所述第一阵列与所述第二阵列之间的中间平面平行的磁场分量。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述束线磁体为质量分析器的部分。 

9.根据要求要求1所述的装置，其中所述束线磁体为离子束准直仪的部分。

10.一种在离子注入机中束缚电子的方法，所述方法包含以下步骤：

沿离子束路径的至少一部分来定位磁体的第一阵列以及磁体的第二阵列，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反；

配置所述磁体，使得所述第一阵列中的至少一磁体具有面向所述第二阵列中的相应磁体的相反磁极的磁极；以及

其中磁体的所述第一阵列与磁体的所述第二阵列在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场，以束缚电子，且其中所述勾形磁场的与所述第一阵列与所述第二阵列之间的中间平面相平行的分量小于所述勾形磁场的与所述中间平面相垂直的分量，以及其中磁体的所述第一阵列以及磁体的所述第二阵列中的至少一部分以径向场型配置，以覆盖通过一束线磁体的所述离子束路径的部分，且所述径向场型配置的磁体中的至少一些以相对于离子束轨道呈弯曲来减小径向磁场分量。

11.根据权利要求10所述的方法，其还包含：

在所述第一阵列以及所述第二阵列中的每一者内交替所述磁体的磁极，以导致所述勾形磁场的与所述中间平面相垂直的所述分量具有交替的极性。

12.根据权利要求10所述的方法，其中磁体的所述第一阵列与所述第二阵列中的至少一者包括永磁体。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一阵列中的所述至少一磁体以及所述第二阵列中的所述相应磁体对准所述离子束路径。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一阵列中的所述至少一磁体以及所述第二阵列中的所述相应磁体垂直于所述离子束路径。

15.根据权利要求10所述的方法，其还包含：

设定所述第一阵列中的所述至少一磁体以及所述第二阵列中的所述相应磁体的形状，以减小与所述离子束路径垂直且与所述中间平面平行的磁场分量。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述束线磁体为质量分析器的部分。

17.根据权利要求10所述的方法，其中所述束线磁体为离子束准直仪的部分。