[发明专利]用于防止等离子体抑制物质形成的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，其包括：

构造为布置于等离子体腔内的阻挡部件，所述阻挡部件具有：

用于限定等离子体形成区域的壁，在所述等离子体形成区域处从流体点火化学还原物质，所述壁的至少一部分由对于化学还原物质基本上惰性的物质构成，所述壁防止化学还原物质形成传导性物质；以及

与所述等离子体形成区域流体相通的开口，流体经由所述开口引入所述等离子体形成区域。

2.根据权利要求1的装置，其中所述阻挡部件可移除地结合至所述等离子体腔。

3.根据权利要求1的装置，其中第一阻挡部件使用凸缘定位于所述等离子体腔内，所述凸缘可移除地结合至所述阻挡部件或所述等离子体腔的至少之一。

4.根据权利要求1的装置，其中所述等离子体腔是在远程等离子体源内的等离子体腔，所述阻挡部件使用阻挡支撑部件定位于所述等离子体腔内，并且所述阻挡支撑部件可移除地结合至所述远程等离子体源。

5.根据权利要求1的装置，其中所述阻挡部件设计为使得在所述壁的外表面的至少一部分与所述等离子体腔的内表面之间布置有绝缘层。

6.根据权利要求5的装置，其中所述开口是第一开口，并且所述阻挡部件包括用来形成第二开口的部分，以提供内部区域和绝缘层之间的流体相通。

7.根据权利要求6的装置，其中所述第二开口布置于所述等离子体形成区域的外侧。

8.根据权利要求1的装置，其中所述等离子体形成区域完全布置于所述阻挡部件的内部区域内。

9.根据权利要求1的装置，其中在所述等离子体腔的外表面的外部布置RF电感部件，所述RF电感部件构造为接收来自RF功率源的RF功率，并且所述等离子体形成区域与由RF电感部件产生电磁场处的体积相应。

10.根据权利要求1的装置，其中所述等离子体腔的内表面由易于在还原环境中还原的材料构成。

11.一种方法，其包括：

提供构造为在流体中点火等离子体的等离子体腔，所述等离子体在等离子体形成区域内被点火，所述等离子体包括化学还原物质；以及

使用阻挡层防止响应于化学还原物质与等离子体腔的一部分的相互作用而形成等离子体点火抑制物质，所述阻挡层由对于化学还原物质基本上惰性的物质构成。

12.根据权利要求11的方法，其中所述等离子体腔包括在远程等离子体源中。

13.根据权利要求11的方法，其中所述防止包括使用阻挡部件防止，所述阻挡部件的至少一部分包括所述阻挡层，所述阻挡部件的至少一部分布置于所述等离子体腔内，并且所述等离子体形成区域完全布置于所述阻挡部件内。

14.根据权利要求13的方法，其中所述阻挡部件的外表面的至少一部分利用绝缘层与所述等离子体腔的内表面分开。

15.根据权利要求13的方法，其中所述阻挡部件是可移除的阻挡部件。

16.根据权利要求13的方法，其中所述阻挡部件使用阻挡支撑部件定位于所述等离子体腔内。

17.根据权利要求11的方法，其中RF电感部件结合至所述等离子体腔，所述RF电感部件具有谐振区段或非谐振区段的至少之一，所述RF电感部件构造为从RF功率源接收RF功率，所述等离子体形成区域与由所述RF电感部件产生电磁场处的体积相应。

18.根据权利要求11的方法，其中所述阻挡层结合至所述等离子体腔的内表面。

19.根据权利要求11的方法，其中所述等离子体腔由基本上抑制等离子体点火抑制材料形成的物质构成，并且所述等离子体腔包括所述阻挡层。

20.一种装置，其包括：

限定等离子体形成区域的等离子体腔，在所述等离子体形成区域处形成化学还原物质，所述等离子体腔的至少一部分由阻挡层材料构成，所述阻挡层材料充分地抵抗由还原物质还原形成传导性材料；以及

结合至所述等离子体腔的RF电感部件，所述RF电感部件构造为从RF功率源接收RF功率，所述等离子体形成区域与由RF电感部件产生电磁场处的体积相应。