[发明专利]具有增强绝热性能的可发泡乙烯基芳族聚合物及其制备方法有效
| 申请号: | 200780043310.X | 申请日: | 2007-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN101646721A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
| 发明(设计)人: | D·戈多尼;A·蓬蒂切洛;A·西莫内利;R·菲利萨里 | 申请(专利权)人: | 波利玛利欧洲股份公司 |
| 主分类号: | C08J9/00 | 分类号: | C08J9/00;C08J9/16;B29C44/34 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
| 地址: | 意大*** | 国省代码: | 意大利;IT |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 增强 绝热 性能 发泡 乙烯基 聚合物 及其 制备 方法 | ||
1.可发泡乙烯基芳族聚合物,包含:
a)由50-100%重量的—种或多种乙烯基芳族单体和0-50%重量的 至少—种可共聚单体聚合得到的基体;
b)包埋于所述聚合物基体中、相对于聚合物(a)计为1-10%重量的发 泡剂;
c)均匀分布在所述聚合物基体中、相对于聚合物(a)计为0.01-20% 重量的包含导电性炭黑的填料,所述炭黑具有根据ASTMD-3037/89测定的为 5-200m2/g的表面积,其中所述炭黑具有低于15欧姆·厘米的电阻率。
2.根据权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中所述炭黑起始由燃油 或乙炔制备。
3.根据权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中所述炭黑具有30-500 nm的粒径。
4.根据权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中添加至乙烯基芳族聚 合物的所述填料包含至多5%重量的石墨。
5.根据权利要求4的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中所述石墨是天然或合 成的,具有0.5-50μm的粒径(d50)和5-50m2/g的表面积。
6.根据权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中所述导电性炭黑的特 征在于,硫含量为0.1-2000ppm,灰分残留为0.001-0.05%,热损失为0.001 -1%,碘值为10-300g/kg和邻苯二甲酸二丁酯(DBPA)的吸收值为50-500 m1/(100克)。
7.根据权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中所述乙烯基芳族单体选自具有下列通式的那些:
其中R是氢或甲基,n是0或1-5的整数,Y是卤素,选自氯或溴,或者 是具有1-4个碳原子的烷基或烷氧基。
8.根据权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物,其中所述导电性炭黑相对 于聚合物的存在量为0.1-6%重量。
9.发泡制品,具有5-50g/1的密度和25-50mW/mK的热导率,该发泡 制品可由使根据前述任一项权利要求的可发泡乙烯基芳族聚合物发泡得到。
10.权利要求1的可发泡乙烯基芳族聚合物的制备方法,包括在水性悬浮 液中,在包含权利要求1的表面积为5-200m2/g的导电性炭黑的填料的存在下, 和在任选包含至少一个芳环的过氧化物自由基引发剂以及在聚合之前、过程中 或结束时加入的发泡剂的存在下,使一种或多种乙烯基芳族单体,任选与用量 为至多50%重量的至少—种可聚合共聚单体一起聚合。
11.根据权利要求10的方法,其中所述炭黑具有30-500nm的粒径。
12.根据权利要求10的方法,其中所述填料包含至多5%重量的石墨。
13.根据权利要求10的方法,其中所述石墨是天然或合成的,具有0.5- 50μm的粒径和5-50m2/g的表面积。
14.根据权利要求10的方法,其中所述炭黑的特征在于,硫含量为0.1- 2,000ppm,灰分残留为0.001-0.05%,热损失为0.001-1%,碘值为10-300 g/kg和邻苯二甲酸二丁酯(DBPA)的吸收值为50-500m1/(100克)。
15.根据权利要求10的方法,其中所述聚合通过乙烯基芳族聚合物与所述 单体或单体混合物的溶液在悬浮液中进行,其中聚合物的浓度为1-30%重量。
16.根据权利要求10的方法,其中在聚合结束后,获得平均粒径为0.2-2 mm、基本上为球形的聚合物珠粒,其中均匀地分散所述包含导电性炭黑的填料。
17.根据权利要求10的方法,其中在聚合阶段期间添加发泡剂,所述发泡 剂选自包含3-6个碳原子的脂肪族或环脂族烃、包含1-3个碳原子的脂肪族 烃的卤代衍生物、二氧化碳和水。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于波利玛利欧洲股份公司,未经波利玛利欧洲股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780043310.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





