[发明专利]耐腐蚀性构件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有高耐酸性、耐等离子体性和亲水性，作为例如通过 气相法对基材或基板进行表面加工处理(微细加工和薄膜加工等)的装置 (半导体制造装置、液晶显示装置等显示器件等)的构成构件，有利于长 期保持耐酸性、耐等离子体性的耐腐蚀性构件(或改性处理构件)、及其 制备方法、以及表面处理方法、由该方法得到的处理构件。

背景技术

在半导体、液晶显示器件等微细加工和薄膜化技术中，可以将基材 或基板进行气相表面处理、例如物理气相沉积、化学气相沉积、蚀刻处 理等。这些气相表面处理装置中，可被加速或离子化的粒子(蒸镀粒子等 有机或无机飞散粒子)浮游空中，附着于装置内面，污染装置。例如，具 有包括石英玻璃等透明构件的观察窗(终点检测用传感窗、用于检测终点 的窗等)的干法蚀刻装置中，伴随着干法蚀刻，浮游粒子的膜(氯化铝膜、 抗蚀剂膜、氟膜等)附着于观察窗上，使内部观察变得困难。因此，需要 定期清洗装置的观察窗(石英玻璃)，并抛光，恢复表面粗糙度和透射率， 从而再利用。因此每次观察窗(石英玻璃)被污染，则必须进行高精度的 清洗并使其恢复的维护作业，使生产性大幅降低。

太阳能电池的保护玻璃或放置于室外的玻璃(包括窗玻璃、汽车等运 载工具的前窗等)曝露于酸雨中受到腐蚀，同时有尘埃附着，难以长时间 保持高透明性。并在透镜、光掩模等的光学部件要求尽量防止尘埃的附 着。

并且，通过金属板(例如包括耐酸铝加工等表面加工的铝板的电极等) 上形成的很多微孔(例如直径300-1500μm的孔)，将氯气等反应性蚀刻 气体导入到干法蚀刻处理空间内，蚀刻基板(玻璃基板等)，则金属与蚀 刻气体的反应产物堆积在金属板的孔中，最终使孔堵塞。金属板的孔堵 塞，则必须除去很多孔的堆积物，使其恢复，或者更换为新的金属板。 因此，必须进行频繁的维护作业，同时使基板的生产性大幅降低。

另外，干法蚀刻(例如等离子体蚀刻)中，由反应性(或腐蚀性)高的气 体(蚀刻气体)产生的等离子体(反应性等离子体)容易使可与干法蚀刻处 理空间接触的构件(构成内壁的构件或设置在处理空间内的构件等)被侵 蚀。上述构件被侵蚀，则必须频繁地维护和更换，同时生产性也降低。 因此上述构件要求高耐等离子体性。

并且，转移或运输流体(气体和液体)的管体内面附着并堆积有附着 物，则有生物附着并繁殖，由此使流体的压力损失增大，妨碍顺畅的转 移或运输。特别是在转移或运输酸性物质的管体中，管体由内面腐蚀， 耐久性降低。

日本特开平6-86960号公报(专利文献1)中公开了一种洗涤装置，该 洗涤装置具备装载被洗涤物的洗涤罐、装载洗涤液的洗涤液罐、储存过 热水蒸气的蒸气罐、对洗涤罐和洗涤液罐进行加压的加压气体供给装 置，在洗涤罐内将被洗涤物浸泡到洗涤液中进行洗涤，然后将过热水蒸 气喷射到被洗涤物上进行淋洗。该文献中记载：可以解决只喷射过热水 蒸气时无法解决的课题(可除去附着了油的精密仪器部件的微米级杂质 的洗涤)。而在日本特开2004-79595号公报(专利文献2)中公开了一种基 体的洗涤方法，该方法是为了从基板上除去抗蚀剂，而将表面具有抗蚀 剂的基板进行低于1分钟的等离子体灰化，灰化至抗蚀剂未完全除去的 程度，然后将含有水蒸气的洗涤气体喷射到基板表面；该文献记载：水 蒸气可以使用饱和水蒸气、过热水蒸气。并且日本特开2004-346427号 公报(专利文献3)中公开了一种表面处理方法，该表面处理方法是在处 理空间配设金属框，使该处理空间为真空状态，然后将高压过热水蒸气 导入处理空间，在上述金属框的表面形成氧化被膜；该文献记载：在金 属框的表面不是形成FeO、Fe₂O₃，而是形成Fe₃O₄的氧化被膜，由此， 金属框的平滑性(润滑性)、耐久性(耐磨损性和耐腐蚀性)优异。

但是，对于被处理构件可防止长时间附着污染物质、使其具有高耐 酸性和耐等离子体性，这则不为人所知。

专利文献1：日本特开6-86960号公报(权利要求书)

专利文献2：日本特开2004-79595号公报(专利文献，[发明效果] 一栏)

专利文献3：日本特开2004-346427号公报(权利要求，段落编号 [0021][0046])

发明内容

发明要解决的技术问题