[发明专利]荧光体前体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光体前体的制造方法。更详细地说，涉及一种荧光体前体的制造方法，其特征在于，对由荧光体母体、激活剂和共激活剂兼用颗粒成长促进剂构成的混合物施加0.1GPa以上的冲击压力，在共激活剂兼用颗粒成长促进剂存在下向荧光体母体中掺杂激活剂。

背景技术

由II族和VI族元素的化合物构成的II-VI族化合物的半导体颗粒、例如硫化锌为主成分的半导体颗粒，通过添加锰、铜、银、铽、铥、铕、氟等激活元素(激活剂)，从而具有所谓的吸收光或电子射线等能量并发光的性质。为此，将主成分为硫化锌等的半导体颗粒作为荧光体母体而得到的荧光体，利用于等离子显示器、电致发光显示器、电场辐射型显示器等显示装置中。

为了获得将主成分为硫化锌的半导体颗粒作为荧光体母体的荧光体前体，已知的方法有：将作为原料的硫化锌颗粒与被称为熔剂的无机盐一起在800℃～1300℃的非常高的温度下进行一次烧成，使其成长为微米尺寸的颗粒，接着，在500℃～1000℃进行二次烧成而得到荧光体前体(参照专利文献1～3)。不过，该方法中，因为是由热引起的离子交换法，所以难以优先导入具有比构成II-VI族化合物半导体的金属元素的离子半径还大的离子半径的金属元素，获得更高亮度的硫化锌荧光体颗粒是极其困难的。

另一方面，在液相中合成II-VI族荧光体前体的情况下，可以在颗粒成长途中控制其量来添加激活剂或共激活剂，可以生成在颗粒内部使激活剂或共激活剂的浓度分布均质化的荧光体颗粒，另外，还可分离核形成和成长来形成颗粒，并通过控制颗粒成长中的过饱和度来获得粒径分布窄的单分散颗粒。

关于在液相中合成II-VI族荧光体前体的方法，已知有在水热条件下合成颗粒的方法(例如，参照专利文献4)，并且，公开了作为液相调制的改良方法的控制粒径分布的方法(例如，参照专利文献5)。不过，根据液相反应，尽管显示了烧成法中无法得到的效果，但是由于是利用螯合的模板效应的方法，所以难以优先导入具有比构成II-VI族化合物半导体的金属元素的离子半径还大的离子半径的金属元素，因此，即使根据液相反应也难以得到更高亮度的硫化锌荧光体颗粒。

进而，作为改善荧光体的发光性能的方法，提出了使用高压釜(autoclave)、机械压力装置等对荧光体前体施加压力的方法，和对荧光体前体进行湿式球磨的方法，另外，也提出了通过爆破法制造荧光体(例如，参照专利文献6、7和非专利文献1)。

专利文献1：日本特开平8-183954号公报

专利文献2：日本特开平7-62342号公报

专利文献3：日本特开平6-330035号公报

专利文献4：日本特开2005-306713号公报

专利文献5：日本特开2005-139372号公报

专利文献6：日本特开2005-281451号公报

专利文献7：日本特开平6-336587号公报

非专利文献1：Xiaojie Li et al，“Preparation ofSrAl₂O₄:Eu²⁺，Dy³⁺ nanometer phosphors by detonation method”(2006)MaterialsLetters p.1-5

发明内容

发明要解决的问题

不过，专利文献6和7公开的方法是暂时烧成或在液相反应中向形成作为荧光体母体的II-VI族化合物半导体中掺杂激活剂或共激活剂后再进行上述方法的，依然难以优先导入具有比形成II-VI族化合物半导体的金属元素的离子半径大的离子半径的金属元素。并且，非专利文献1中公开了关于由爆破引起的激活剂的掺杂，但其是在生成复合氧化物时掺杂稀土类金属元素，而不是针对II-VI族化合物半导体进行实施的，并且，也不是针对氧化时不稳定的硫化物、硒化物等实施的。

因此，本发明的目的在于提供一种为了制造赋予高亮度、高能量效率的荧光体，能够任意掺杂大离子半径的激活剂的荧光体前体的制造方法。

用于解决问题的方法