[发明专利]生产具有改善的载流子寿命的基底的方法

权利要求书

1.在基底上沉积碳化硅涂层的方法，使得所得涂层具有0.5-1000 微秒的载流子寿命，所述方法包括：

a.将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含 有基底的反应室中；

b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；

条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。

2.权利要求1的方法，其中所述气体混合物另外包括掺杂气体。

3.权利要求2的方法，其中所述掺杂气体是氮气、磷化氢气体或 三甲基铝气体。

4.权利要求1、2或3的方法，其中所述氯代硅烷气体具有通式 R_wH_xSi_yCl_z，其中y和z为大于零，w和x为大于或等于零，和R表示 烃基团。

5.权利要求1、2、3或4的方法，其中所述含碳气体具有通式 H_aC_bCl_c，其中a和b为大于零，和c为大于或等于零。

6.权利要求5的方法，其中所述含碳气体为C₃H₈气体、C₂H₆气体、 CH₃Cl气体或CH₃CH₂CH₂Cl气体。

7.根据权利要求1、2、3、4、5或6的方法生产的产品。

8.在基底上沉积碳化硅涂层的方法，使得所得涂层具有 0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：

a.将包括非氯化的含硅气体、氯化氢、含碳气体和氢气的气体混 合物引入到含有基底的反应室中；

b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；

条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。

9.权利要求8的方法，其中所述气体混合物另外包括掺杂气体。

10.权利要求9的方法，其中所述掺杂气体是氮气、磷化氢气体 或三甲基铝气体。

11.权利要求8、9或10的方法，其中所述含硅气体是单氢化硅 气体、氯代硅烷气体、二氯硅烷气体、三氯硅烷气体或四氯硅烷气体。

12.权利要求8、9、10或11的方法，其中所述非氯化的含硅气 体具有通式R_wH_xSi_y，其中y为大于零，w和x为大于或等于零，和R 表示烃基团。

13.权利要求8、9、10、11或12的方法，其中所述含碳气体具 有通式H_aC_bCl_c，其中a和b为大于零，和c为大于或等于零。

14.权利要求13的方法，其中所述含碳气体为C₃H₈气体、C₂H₆气 体、CH₃Cl气体或CH₃CH₂CH₂Cl气体。

15.权利要求8的方法，其中所述气体混合物中的至少一种气体 包含氯原子。

16.根据权利要求8、9、10、11、12、13、14或15的方法生产 的产品。

17.半导体器件，其包括

(i)至少一种半导体器件组件；和

(ii)包括载流子寿命为0.5-1000微秒的碳化硅区域的基底。