[发明专利]无电解镀Ni-P的方法和电子部件用基板

权利要求书

1.一种无电解镀Ni-P的方法，其特征在于，包括：

准备基板的工序(a)，该基板具有绝缘性基板、和设置在所述绝 缘性基板的至少一个面上的铜合金层，该铜合金层由铜或者含有铜的 合金形成，并且具有包括相互分离的多个岛状部的规定的图案；

准备用于进行无电解镀Ni-P的镀液的工序(b)；

准备至少在表面上具有Ni、Ni-P、Co或Co-Ni的固体的工序(c)；

通过在使所述多个岛状部中的至少两个岛状部与所述镀液接触的 状态下，使所述固体与所述至少两个岛状部的表面接触，开始选择性 地在所述至少两个岛状部的表面形成无电解镀Ni-P覆膜的工序(d)； 和

在所述工序(d)之后，通过在所述镀液中不存在所述固体的状态 下，使所述多个岛状部中的至少两个岛状部与所述镀液接触，使所述 无电解镀Ni-P覆膜生长的工序(e)。

2.如权利要求1所述的无电解镀Ni-P的方法，其特征在于：在所 述工序(b)之前，还包括对所述铜合金层的表面进行清洁的工序。

3.如权利要求1或2所述的无电解镀Ni-P的方法，其特征在于： 所述工序(d)包括使所述固体与所述至少两个岛状部的表面断续地接 触的工序。

4.如权利要求1或2所述的无电解镀Ni-P的方法，其特征在于： 所述固体具有的表面氧化膜的厚度为3nm以下。

5.如权利要求1或2所述的无电解镀Ni-P的方法，其特征在于： 在所述工序(d)中，所述镀液的温度为80℃以上。

6.如权利要求1或2所述的无电解镀Ni-P的方法，其特征在于： 在所述工序(d)中，所述镀液的Ni浓度为4g/L以上。

7.如权利要求1或2所述的无电解镀Ni-P的方法，其特征在于： 所述固体为粒状。

8.一种电子部件用基板，其特征在于，具备：

陶瓷基板；

设置在所述陶瓷基板的至少一个面上的铜合金层，该铜合金层由 铜或者含有铜的合金形成，并且具有包括相互分离的多个岛状部的规 定的图案；和

覆盖所述多个岛状部中的至少两个岛状部的、由权利要求1～7中 任一项所述的无电解镀Ni-P的方法制得的无电解镀Ni-P覆膜形成的镀 层，其中，

以在所述至少两个岛状部的上表面形成的所述镀层的平均厚度为 tu、以所述至少两个岛状部中相互邻接的两个岛状部的最小间隔为Wi、 并以覆盖所述相互邻接的两个岛状部的所述镀层的最小间隔为Wp时， 满足0.8≤{(Wi-Wp)/2}/tu≤1.3的关系。

9.如权利要求8所述的电子部件用基板，其特征在于：所述最小 间隔Wi为1mm以下，所述铜合金层的平均厚度为0.3mm以上。

10.如权利要求8或9所述的电子部件用基板，其特征在于：所述 镀层与所述铜合金层直接接触。

11.如权利要求8或9所述的电子部件用基板，其特征在于：所述 镀层不含镀膜催化剂元素。

12.如权利要求8或9所述的电子部件用基板，其特征在于：所述 镀层中所含的磷元素相对于所述镀层总体的含有率为5.0质量％以上、 13.0质量％以下。