[发明专利]高纵横比触点

权利要求书

1.一种用于蚀刻绝缘层(114、514)的方法，其包括：

首先将所述绝缘层(114、514)暴露于包括Ar、Xe及其组合的第二气体蚀刻剂的等离子体(720)以将开口(104、504)蚀刻到小于15∶1的第一纵横比；及

将所述绝缘层(114、514)暴露于具有至少百分之五十He的第一气体蚀刻剂的等离子体(120、520、720)，以用所述第一气体蚀刻剂的所述等离子体(120、520、720)将所述开口(104、504)从所述第一纵横比蚀刻到至少15∶1的第二纵横比。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体蚀刻剂包含He。

3.如权利要求1所述的方法，其中He仅用于所述第一气体蚀刻剂的一部分和第二气体蚀刻剂的一部分。

4.如权利要求1-3其中之一所述的方法，其包含：

将He添加到所述第二气体蚀刻剂以在所述开口(104、504)达到所述第一纵横比时即刻获得所述第一气体蚀刻剂。

5.如权利要求1-3其中之一所述的方法，其包含：

一旦所述开口(104、504)达到所述第一纵横比，将所述第二气体蚀刻剂替换为所述第一气体蚀刻剂。

6.如权利要求1-3其中之一所述的方法，其中所述绝缘层(114、514)为选自由硅酸盐玻璃、氧化硅、使用一种或一种以上硅烷形成的材料及正硅酸四乙酯(TEOS)组成的群组的氧化物。

7.如权利要求1-2其中之一所述的方法，其中所述第一气体蚀刻剂为He与Ar的混合物。

8.如权利要求1-2其中之一所述的方法，其中所述第一气体蚀刻剂为百分之九十(90)He及百分之十(10)Ar。

9.如权利要求1-2其中之一所述的方法，其中所述第一气体蚀刻剂为百分之一百的He。

10.如权利要求1-3其中之一所述的方法，其中所述开口(104、504)包含选自由通孔、触点及沟槽组成的群组的开口(104、504)。

11.如权利要求1-3其中之一所述的方法，其中所述第二纵横比经蚀刻以具有至少20∶1的纵横比且所述开口(104、504)在所述绝缘层(114、514)中具有底部(105、505)及侧面(106、506)，所述开口允许垂直于所述绝缘层(114、514)的轴(130、530)穿过所述开口(104、504)到达所述底部(105、505)而不被所述开口(104、504)的所述侧面(106、506)截断。

12.一种用于蚀刻绝缘层(114、514)的方法，其包括：

将等离子蚀刻反应器(750)中的所述绝缘层(114、514)暴露于重离子气体蚀刻剂的等离子体(720)，所述重离子气体蚀刻剂包括，

第一惰性气体；及

第一反应气体，其用于将开口(104、504)蚀刻到小于15∶1的纵横比；及

将所述重离子气体蚀刻剂替换为轻离子气体蚀刻剂，所述轻离子气体蚀刻剂包括，

第二惰性气体；及

第二反应气体，一旦已蚀刻开口(104、504)的所述纵横比达到15∶1，所述第二反应气体将所述开口(104、504)进一步蚀刻到至少20∶1的纵横比；且

其中与所述重离子气体蚀刻剂中的所述第一惰性气体和所述第一反应气体的平均原子量相比，所述轻离子气体蚀刻剂的所述第二惰性气体与所述第二反应气体的混合物具有较低的平均原子量。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一惰性气体由重离子组成且所述第二惰性气体由轻离子组成，其中所述轻离子具有比所述重离子低的分子量。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述重离子选自由Ar、Xe、氪(Kr)、溴(Br)、大碳氟化合物离子及其组合组成的群组，且所述轻离子选自由He、氖(Ne)、氯(Cl)及氟(F)组成的群组。

15.如权利要求12-14其中之一所述的方法，其中所述第一反应气体由重离子组成且所述第二反应气体由轻离子组成，其中所述轻离子具有比所述重离子低的分子量。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述重离子为Br且所述轻离子为Cl。