[发明专利]形貌引导的图案化

权利要求书

1.一种用于形成掩模图案的方法，所述方法包括：

通过节距倍增形成多个间隔件；

在所述间隔件之间沉积嵌段共聚物材料薄膜；

对所述薄膜进行退火以在所述薄膜内形成重复的特征图案；及

随后移除所述间隔件。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多个间隔件包括：

提供多个心轴；

在所述心轴的侧壁上形成间隔件；及

移除所述心轴以留下构成所述多个间隔件的独立式间隔件。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述特征选自由垂直薄片、隔离的柱及球体 组成的群组。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜至少部分地覆盖所述间隔件。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包括溶液，其包括嵌段共聚物，其 中对所述薄膜进行退火包括导致形成所述嵌段共聚物的嵌段分离。

6.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述薄膜暴露于蚀刻剂以选择性 地移除所述重复的特征图案中间的薄膜材料。

7.如权利要求6所述的方法，其进一步包括通过所述重复的特征图案处理下伏 材料层。

8.如权利要求7所述的方法，其中处理所述下伏材料层包括将所述重复的图案 蚀刻到下伏材料中。

9.一种半导体处理方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方形成第一组嵌段域，所述第一组包括多个单独群组的嵌段域， 每一群组包括多个直接相邻嵌段域，所述嵌段域大致由嵌段共聚物的相似嵌段形成， 其中，形成所述第一组嵌段域包括：

在所述半导体衬底上方提供用于共聚物对准的多个单独导轨；

在所述导轨之间的空间中沉积第一嵌段共聚物层；

从所述空间中的所述嵌段共聚物形成所述第一组嵌段域；及

将所述导轨暴露于蚀刻剂以打开所述导轨的边缘之间的中心区域，从而形成 所述单独群组的嵌段域之间的所述空间；及

随后在所述单独群组的嵌段域之间的空间中形成第二组嵌段域，所述第二组嵌段 域形成额外群组的直接相邻嵌段域，所述额外群组中的每一者设置在所述空间之一 中。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述嵌段域包括对所述嵌段共聚物进行 退火。

11.如权利要求9所述的方法，其进一步包括将由所述第一组嵌段域形成的图案 转移到下伏硬掩模层中以在所述硬掩模层中界定特征。

12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括在所述硬掩模层中的所述特征的 周围及上方沉积填充物材料。

13.如权利要求12所述的方法，其进一步包括部分地移除所述填充物材料以暴 露所述单独的导轨。

14.如权利要求9所述的方法，其进一步包括在所述空间中形成所述第二组嵌段 域之前在所述空间中沉积第二嵌段共聚物层。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述导轨包括设置在多个单独的心轴中的 每一者的侧壁上的间隔件；

16.如权利要求15所述的方法，其中将所述导轨暴露于蚀刻剂包括选择性地移 除所述心轴。

17.如权利要求14所述的方法，其进一步包括将由所述第一及所述第二组嵌段 域形成的图案转移到所述半导体衬底中。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述第一组嵌段域形成选自由垂直薄片、 隔离的柱或垂直圆柱体组成的群组的特征，其中所述第二组嵌段域形成选自由垂直薄 片、隔离的柱及垂直圆柱体组成的群组的特征。