[发明专利]用于氧化铟锡表面的化学机械抛光的组合物及方法

权利要求书

1.一种用于抛光氧化铟锡(ITO)表面的化学机械抛光(CMP)组合物， 该组合物包含分散于具有不大于5的pH值的含水载体中的粒度不大于 150nm且比表面积为40至220m²/g的颗粒氧化锆研磨剂。

2.权利要求1的CMP组合物，其中该研磨剂以0.1至10重量％的 量存在于该组合物中。

3.一种用于抛光包括氧化铟锡(ITO)表面的基板的化学机械抛光 (CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使该基板的该ITO表面与抛光垫及权利要求1的含水CMP组合 物接触，以及

(b)使该抛光垫与该基板之间发生相对运动，同时保持一部分该CMP 组合物与在该垫与该基板之间的该ITO表面接触一段足以从该表面磨除 至少一部分该ITO的时间。

4.一种用于抛光氧化铟锡(ITO)表面的化学机械抛光(CMP)组合物， 该组合物包含分散于具有不大于5的pH值的含水载体中的粒度不大于 150nm且比表面积为40至75m²/g的颗粒氧化锆研磨剂。

5.权利要求4的CMP组合物，其中该研磨剂以0.1至10重量％的 量存在于该组合物中。

6.一种用于抛光氧化铟锡(ITO)表面的化学机械抛光(CMP)方法，该 方法包括以下步骤：

(a)使该ITO表面与抛光垫及权利要求4的含水CMP组合物接触， 以及

(b)使该抛光垫与该ITO表面之间发生相对运动，同时保持一部分该 CMP组合物与在该垫与基板之间的该ITO表面接触一段足以从该表面磨 除至少一部分该ITO的时间。

7.一种用于抛光氧化铟锡(ITO)表面的化学机械抛光(CMP)组合物， 该组合物包含分散于具有不大于5的pH值的含水载体中的粒度为20至 140nm且比表面积为80至220m²/g的颗粒胶态二氧化硅研磨剂。

8.权利要求7的CMP组合物，其中该研磨剂以0.1至10重量％的 量存在于该组合物中。

9.一种用于抛光氧化铟锡(ITO)表面的化学机械抛光(CMP)方法，该 方法包括以下步骤：

(a)使该ITO表面与抛光垫及权利要求7的含水CMP组合物接触， 以及

(b)使该抛光垫与该ITO表面之间发生相对运动，同时保持一部分该 CMP组合物与在该垫与基板之间的该ITO表面接触一段足以从该表面磨 除至少一部分该ITO的时间。