[实用新型]一种机械式晶圆固定装置整流环有效
申请号: | 200720147100.2 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN201063336Y | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 陈庆安 | 申请(专利权)人: | 志圣工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 机械式 固定 装置 整流 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种机械式晶圆固定装置整流环,尤其涉及一种有助于气体流通,令气体分布更均匀的机械式晶圆固定装置整流环。
背景技术
晶圆在蚀刻的过程中,需以一夹具将晶圆固定于制程装置上,同时,因制程环境产生的温度较高,而较高的制程温度会使晶圆产生变化,故制程温度需有一定的限制不可过高,控制温度的方式主要通过气流吸收热量并将热量带走。
请参阅专利申请号为87212441的中国台湾专利,“干式蚀刻机之晶圆夹具”,以及专利号为610664的美国专利,“Clamp for affixing a wafer in an etchingchamber”,其亦具有一夹具以固定晶圆于制程装置中,并需利用气流降温以控制制程温度,该技术方案主要是将晶圆承置于制程装置中,并由轴向吹入气流以达到降温的效果;
然而,上述的制程装置其夹具虽可达到固定晶圆的效果,然而却会对晶圆上的散热造成妨碍,该夹具于晶圆周围结构上并未提供气流导通的设计,如此则气体在流通时,易受夹具的影响,令气流方向散乱且分布不均匀,对于晶圆散热的效果而言,亦较不佳,因此容易有晶圆部分区域因热量较高而变质的情况发生,如此便会影响晶圆的质量与产品的良率,对生产而言亦是无形的成本损耗,故就整体而言,有加以改良的必要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种机械式晶圆固定装置整流环,旨在解决现有的晶圆制程设备的夹具容易妨碍气流流通,造成气流不均匀,散热效果不彰,产品质量与良率下降的问题。
本实用新型是这样实现的,一种机械式晶圆固定装置整流环,其主要包括一整流环体,该整流环体上设有夹件而可配合承载盘以夹持晶圆,该整流环体径向设有开槽以供晶圆置入与取出,且整流环体外周设有复数个贯通孔,该贯通孔可供气流通过,因整流环体轴向均匀穿设有复数个贯通孔,因此可供气流均匀通过,不会影响气流的分布,如此可使晶圆获得较平均的散热效果,而减少晶圆部分区域因散热效果不彰而损坏的不足,因此本实用新型实是相当具有实用性及进步性的,值得产业界来推广,并公诸于社会大众。
附图说明
图1是本实用新型提供的机械式晶圆固定装置整流环外观立体图;
图2是本实用新型提供的机械式晶圆固定装置整流环贯通孔局部剖视示意图;
图3是本实用新型提供的机械式晶圆固定装置整流环夹件装设示意图;
图4是本实用新型提供的机械式晶圆固定装置整流环夹固晶圆示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型是有关于一种机械式晶圆固定装置整流环,请参阅图1至图4,这种机械式晶圆固定装置整流环主要包括制程装置的整流环体10,该整流环体10可由气缸11作为动力而控制升降,并配合承载盘12(如图4所示)而达到固定晶圆20的效果;
该整流环体10概呈一圆环状,其径向表面上开设有一组对称的开槽13,该开槽13可供晶圆20置入与取出;
该整流环体10轴向的上表面较靠近圆心的位置均匀设有复数个固定孔14,该固定孔14供夹件15组设定位之用,利用该夹件15与承载盘12对晶圆20夹持固定;
该整流环体10轴向表面较远离圆心的位置均匀对称设有复数个贯通孔16,该贯通孔16贯穿通过该整流环体10的上表面与下表面,且该贯通孔16可供气体流通,而该贯通孔可为长形或方形孔或圆形孔,且并不以此为限。
本实用新型在使用时,请配合参阅图3与图4,该整流环体10在每一固定孔14上装设相对应的夹件15,可通过气缸11的控制来调整整流环体10的位置,并利用该夹件15夹固承载盘12上的晶圆20;此时,因整流环体10轴向均匀穿设有复数个贯通孔16,因此可供气流均匀通过,且不会影响气流的分布,如此可使晶圆20获得较平均的散热效果或制程效果,而减少晶圆20部分区域因散热效果不彰而损坏的不足。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造