[实用新型]一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器无效
| 申请号： | 200720126437.5 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN201167097Y | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张景文;毕臻;边旭明;侯洵;王东 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 zno 紫外光 电导 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，包括一衬底(1)，其特征在于，衬底上依次沉积有ITO薄膜(2)和ZnO薄膜层(3)，ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面，在ZnO台面上表面沉积有欧姆接触电极(4)。
2.如权利要求1所述的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，其特征在于，所述的衬底(1)的材料为石英或蓝宝石。
3.如权利要求1所述的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，其特征在于，所述的ITO薄膜(2)的厚度为150nm～200nm。
4.如权利要求1所述的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，其特征在于，ZnO薄膜(3)厚度为600nm。
5.如权利要求1所述的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，其特征在于，所述的欧姆接触电极(4)为金属Al或透明导电薄膜ITO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
