[实用新型]用于非接触/接触IC卡的电源隔离电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及非接触/接触IC卡通讯技术领域，特别是对双界面卡的非接触整流电源和接触输入电源进行隔离的电路。

背景技术

非接触/接触双界面IC卡的内部电路，其电源可以由非接触模式获得，也可以由接触模式直接提供。

在非接触工作模式下，通过对IC卡天线端感应到的载波进行整流得到直流电源。此时，需要用钳位电路来保证此直流电源在内部电路允许的安全工作电压范围内。此钳位电路通常采用并联钳位方式：在整流得到的直流电源绝对值超过钳位电路阈值Vrg时，钳位电路开始放电，以保证整流得到的直流电源不会超过Vrg很多。

现有技术中，由于非接触/接触双界面IC卡在非接触整流电源和接触输入电源之间没有隔离。因此，当IC卡在接触模式下工作时，一旦接触输入电源的电压值超过钳位电路阈值Vrg，并联钳位电路就会开始放电，而造成不必要的漏电。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种用于非接触/接触IC卡的电源隔离电路。该隔离电路能有效避免双界面IC卡在接触模式下工作时由并联钳位电路引起的漏电。

为了达到上述发明目的，本实用新型的技术方案以如下方式实现：

用于非接触/接触IC卡的电源隔离电路，其结构特点是，所述电路包括：

对接触输入电源进行采样的电源采样单元；

对采样信号进行放大的信号放大单元；

受信号放大单元输出控制的受控隔离管；

所述受控隔离管采用PMOS管，PMOS管的漏极和源极分别与接触输入电源和非接触整流电源相连接，接触输入电源为电源采样单元和信号放大单元提供电源。

在上述用于非接触/接触IC卡的电源隔离电路中，所述电源采样单元由电阻和NMOS管串连组成，所述信号放大单元由CMOS反相器组成。

本实用新型由于采用了上述结构，电源采样单元对接触输入电源采样，当接触输入电源超过某一设定数值Vth时，为信号放大单元提供一个正向采样信号；而当接触输入电源小于Vth时，电源采样单元输出负向采样信号。信号放大单元对采样信号进行同相放大，并用放大结果控制受控隔离管的栅极，确保在接触输入电源超过Vth时，受控隔离管的栅极电压近似等于接触输入电压。同现有技术相比，本实用新型隔离电路能有效避免双界面IC卡在接触模式下工作时由并联钳位电路引起的漏电。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的电路连接图；

图3为本实用新型的应用示意图。

具体实施方式

参看图1和图2，本实用新型包括对接触输入电源进行采样的电源采样单元、对采样信号进行放大的信号放大单元、受信号放大单元输出控制的受控隔离管。电源采样单元由电阻和NMOS管串连组成，所述信号放大单元由CMOS反相器组成。受控隔离管采用PMOS管，其漏极和源极分别与接触输入电源和非接触整流电源相连接。接触输入电源为电源采样单元和信号放大单元提供电源。

将本实用新型电源隔离电路接入非接触/接触IC卡的非接触整流电路和接触输入电路之间，如图3所示，给隔离电路选择一个小于并联钳位电路阈值Vrg的启动电压Vth。

当非接触/接触IC卡在接触工作模式下工作时，若接触输入电源小于Vth，电源采样单元输出负向采样信号，经信号放大单元同相放大后，受控隔离管的栅极电压接近GND，受控隔离管导通。并联钳位电路的电源电压接近于接触输入电源电压，小于并联钳位电路的阈值Vrg。所以，此时并联钳位电路并没有放电电流。若接触输入电源大于Vth，电源采样单元输出正向采样信号，经信号放大单元同相放大后，受控隔离管的栅极电压接近接触输入电源电压，受控隔离管关断，并联钳位电路被隔离，不会产生漏电。

本实用新型在对非接触整流电源和接触输入电源进行隔离，避免接触工作模式下并联钳位电路可能引入漏电流的同时，不会影响非接触工作模式下的最远工作距离。