[实用新型]一种发光二极管的晶片无效
申请号: | 200720053762.3 | 申请日: | 2007-07-04 |
公开(公告)号: | CN201069779Y | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 樊邦弘 | 申请(专利权)人: | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529728广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 晶片 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED封装,特指一种发光二极管的晶片。
背景技术
在发光二极管的发展历程中,如何提高发光二极管的发光效率一直是所有技术人员研发的重点。随着发光二极管技术的不断发展,将晶片采用倒装的封装技术能大幅度地提高发光效率,因此现有的很多大功率LED都采用上述的封装方法。晶片倒装的方案虽然在一定程度上能提高出光效率,但它的电极必须安装于同一侧,会产生诸多不便。现有倒装晶片上的电极都采用的柱状电极,将P层切割掉一部分,同时也切割掉一部分PN结发光层,再将N层电极连接至N层,而P层电极则直接安置于P层上。这种将PN结切割掉的方案无疑降低了晶片发光效率,另外柱状电极与P层或N层的接触面积比较小,电流在P层或N层上分布很不均匀,因此对晶片的发光效率也有不小的负面影响,而且它的散热效果也比较差。
发明内容
本实用新型针对上述问题,提供一种发光二极管的晶片,它可以在很大程度上使P层上的电流分布比较均匀,而且能改善散热效果。
为了达到上述目的,本实用新型采用如下方案:一种发光二极管的晶片,包括衬底,在衬底上依次生长而成的N层和P层,以及给P层和N层提供电源的P层电极和N层电极,其特征在于:所述P层上开设有字母“N”形状的凹槽,该凹槽由P层顶面深入至N层顶面,N层电极嵌于凹槽内并且N层电极上顶面伸出P层,下底面与N层接触;在N层电极与P层之间填充有绝缘层,P层电极位于N层电极拐角之间呈三角形覆盖在P层上;所述绝缘层由导热材料制成;所述P层电极由透光导电材料制成;所述绝缘层的顶面、P层电极的顶面和N层电极的顶面相互平齐。
与现有的晶片电极安置方式相比,本实用新型将三角形状的P层电极覆盖在P层上,整个三角形底面与P层接触,其接触面积大,可使P层上的电流分布均匀,因此可以提高发光效率,同时也增加了散热面积,散热效果好。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的立体示意图;
图3为本实用新型的剖示图。
具体实施方式
对照图1和图2,本实用新型是一种发光二极管的晶片,包括衬底1,在衬底1上依次生长而成的N层2和P层3,它们之间即为PN结发光层23,以及给P层3和N层2提供电源的P层电极5和N层电极4。对照图3,在P层3上开设有呈字母“N”形状的凹槽31,该凹槽31由P层3顶面完全贯穿P层3并一直深入至N层2顶面,N层电极4具有与凹槽31一致的形状且其厚度略大于凹槽31深度,N层电极4嵌于凹槽31内并且N层电极4的上顶面伸出P层3,其下底面与N层2接触以提供电源给N层2;为了使N层电极4与P层3不会形成电接触,N层电极4宽度则小于凹槽31的宽度,并且在N层电极4与P层3之间的凹槽31内填充有绝缘层6,将N层电极4与P层3隔离开,因此绝缘层6形成将N层电极4包围的形势,即在N层电极4的外侧和内侧都是绝缘层6,该绝缘层6与N层电极4具有同样的厚度,以保证N层电极4与P层3之间完全没有相接触的部分。P层电极5覆盖在P层3上,为了使P层电极5与P层3的接触面积更大,因此有两块与N层电极4形状相适应呈三角形的P层电极5,分别位于N层电极4的两个拐角处,P层电极5的厚度相当于N层电极4相对于P层3高出的部分,以使P层电极5与N层电极4的顶面平齐。另外,由于绝缘层6与N层电极4具有相同的厚度,所以在N层电极4与P层电极5之间同样地以绝缘层6隔离开,这样会减少两电极之间产生电火花或静电的可能性。再者,绝缘层6也可由导热材料制成,以增加散热功能。
本实用新型增大了电极与P层的接触面积,使电流分布更加均匀,因此可以提高发光效率,同时也增加了散热面积,散热效果好。此外,本实用新型可适用于正装晶片或倒装晶片技术,正装晶片中P层电极则使用透光导电材料制成,例如ITO(氧化锡铟),光线可由电极透射出,而在倒装晶片中则不用考虑电极材料的透光性。
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