[实用新型]四面扁平封装大规模集成电路引线精密成形装置无效
| 申请号: | 200720005975.9 | 申请日: | 2007-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN201112361Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 严贵生;罗庆云 | 申请(专利权)人: | 北京控制工程研究所 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陈代远 |
| 地址: | 1000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 四面 扁平封装 大规模集成电路 引线 精密 成形 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种扁平封装器件引线成形装置,具体地说是涉及一种四面扁平封装大规模集成电路引线精密成形装置。
背景技术
目前,扁平封装大规模集成电路引线成形方式有以下几种:一是通过手动专用模具四面同时成形,该技术方式是将芯片放在专用模具的下模中,合上上模,均匀压下上模即可完成芯片的成形,成形后用剪板机单边剪切。这种成形方式对工人操作的要求较高,用力不匀便会损坏引线,另外单边剪切的一致性不好,两道工序分别实现成形和剪切增加了人为损坏引线的可能性。二是根据美国FANCORE公司生产的通用设备,该设备采用先单边剪切、后单边成形的方式。该设备的存在的主要问题有:(1)单边成形时采用芯片陶瓷基体定位,而扁平封装对于陶瓷基体几何形状参数的要求不高,这种定位方法会带来芯片引线与焊盘位置偏斜的问题,可能造成不能电装、芯片报废的严重后果;(2)单边成形、单边剪切的一致性不好,操作不方便;(3)两道工序分别实现成形和剪切增加了人为损坏引线的可能性。
发明内容
本实用新型的目的是克服上述现有技术的缺陷,提供一种四面扁平封装大规模集成电路引线精密成形装置,该装置简化了成形方式,其是将单边成形变为四边同时成形,将单边剪切变为四边同时剪切,提高了成形精度并将成形和剪切两个工序合二为一,减少了因多工序带来的质量问题,该装置具有成形精度高、一致性好、操作简单、产品和人员安全性好的特点。
本实用新型的目的是通过下述技术方案来实现的,本实用新型所提供的四面扁平封装大规模集成电路引线精密成形装置是由上模、下模、模架、模柄、成形剪切装置、弹簧实现装置和退料机构组成;其中所述的成形剪切装置是这样设置的,成形剪切装置的一部分设在上模中,一部分设在下模中,在上模中的成形剪切装置包括上模的压紧板、成形板和上切刀,在下模中的成形剪切装置包括下模的下定位板和下切刀;所述的弹簧实现装置是由上下弹簧、上下导板和上下导杆组成,其中上弹簧是设置在上导板与下导板之间的上导杆上,而下弹簧是设置在下导板与上述压紧板之间的下导杆上;而退料机构是设置在下模中;所述的模架是由上下模板、导柱和导套组成,下模板固定安装在压力机底座上,上模板通过一个模柄固装在压力机的主轴上,导柱设置在上下模板之间,导柱的下端固定在下模板上,而导柱的上部是通过导套而与上模板配装;所述的上切刀和下切刀则为四边成形刀。
在上述的成形剪切装置中,设在上模中的成形剪切装置的压紧板是设置在成形板内的下部,而上切刀则是紧贴于成形板的外围设置,所述的上切刀与上述的上模板之间设有第一装配装置并且通过固定构件而被固定;设在下模中的下切刀是设于下定位板的外围,下切刀是通过第二装配装置而被固装在下模板上;所述的压紧板与所述的下定位板是上下位置对应的配置,而上切刀与下切刀是呈剪切的方式对应配置。
所述的退料机构是由凸轮、顶杆和转轴组成,其中安置在顶杆上的凸轮设置在上述第二装配装置的之中,而顶杆的下端接触于凸轮,顶杆的上端是接触于加工元件,顶杆是穿过下切刀和定位板而配置的。
上述的第一装配装置设有一个空间,上述的弹簧实现装置是设在该空间中。
上述的第二装配装置是由底座和固定元件组成,底座是被固装在下模板上,固定元件是被固装在底座上,并且底座和固定元件构成下切刀的固定。
本实用新型的四面扁平封装大规模集成电路引线精密成形装置通过芯片引线四面先同时压紧、再同时成形、最后同时剪切的方式进行的,这种方案的选择对提高芯片引线成形的加工精度和成形质量非常有效。
在实施时,下模固定不动,通过上模的下行运动即可实现芯片引线的成形和剪切操作,该操作通过所述的弹簧实现装置来实现的。而上模板是通过一个模柄固定在压力机主轴上,通过压力机主轴带动上模,实现设备的精确运动。芯片在完成成形剪切操作后,需要从设备中安全的取出芯片,这个操作由退料机构来完成,通过退料机构中凸轮的旋转,实现顶杆的上下运动,从而顶起芯片,方便芯片的取出。
大规模集成电路引线成形设备的成形和剪切操作是通过上下模的间隙来实现的,工作间隙选择合理与否直接关系到设备的工作质量,这里最重要的是成形间隙和剪切间隙。
成形间隙的设定需要通过引线成形后的角度进行计算,如设定引线倾斜的角度为3°,垂直高度为2.5mm,则水平的间隙需要2.5×tan3°=0.13mm,另需要考虑引线的厚度约0.15mm,故最终设定的成形间隙为0.13+0.15=0.28mm。
剪切间隙的设定可通过经验和试验获得,间隙过大,剪切效果不好,有毛刺,间隙过小,容易啃模。通过试验,间隙设定为0.015~0.020mm可达到很好的剪切效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





