[发明专利]液晶显示面板及其制造方法无效
申请号: | 200710306888.1 | 申请日: | 2007-12-05 |
公开(公告)号: | CN101206350A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 卢淳俊;金璋燮;全栢均;李熙根;金在昌;尹台焄;孙弼国;朴郑勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;釜山大学校山学协力团 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(”LCD”)装置,且特别地,涉及一种LCD面板及其制造方法。
背景技术
近年来,已经开发了各种类型的平板显示装置。这些平板显示装置和阴极射线管相比时,都有厚度和体积减小的优点。平板显示装置包括液晶显示装置、等离子显示装置、场发射显示装置和电致发光显示装置。
LCD面板通常包括设有滤色器阵列的滤色器基板和设有薄膜晶体管阵列、多个像素电极和多个信号线的薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管(“TFT”)。液晶材料层注入到两个基板之间。这样就完成了LCD面板的制造过程。这样的LCD装置通过调节在每个像素区域透过面板的光量来显示需要的图像。为了达到这个目的,将电场施加到注入两个基板之间的液晶上,液晶具有各向异性介电常数,和然后电场的强度被调整。
相关技术中LCD面板的液晶相对于通过取向层或通过形成在公共电极和像素电极上的狭缝设立的预倾角度旋转过预定的角度,从而调节透过面板的光量。在此,印刷工艺用来限定取向层的取向方向,和沉积和蚀刻工艺被要求在公共电极和像素电极上形成狭缝图案。从而增加了处理过程的次数,这导致处理时间和材料成本的增加。
发明内容
本发明提供了一种LCD面板及其制造方法,其中LCD显示面板包括SiOC取向层,该取向层具有对在一个宽沉积温度范围内的沉积过程的温度不敏感的有利特性。另外,SiOC取向层的取向方向可以通过离子束的撞击来改变。
本发明的一方面,本发明提供了一种液晶显示面板,包括:下基板,包括薄膜晶体管和像素电极;上基板,面向下基板且包括公共电极;液晶层,形成在上、下基板之间;和取向层,在上基板和下基板上由包含硅(Si)、氧(O)和碳(C)的无机物形成。
优选地,无机物是碳氧化硅(SiOC)。
合适地,无机物的化学式为SiOCx,其中x介于大约0.12和大约1.89之间。
另外,取向层的厚度在大约30nm至大约500nm之间。
此外,液晶层的取向方向具有在从大约85°到大约90°范围内的预倾角度,预倾角度由SiOC设定。
另外,取向层具有大约1×1015Ωcm到大约3×1015Ωcm的电阻率。
另外,液晶显示面板对波长在450nm和700nm之间的透光率在从大约83%到大约86%的范围内。
另一方面,本发明提供了一种制造液晶显示面板的方法,该方法包括:形成包括公共电极的上基板;形成包括薄膜晶体管和像素电极并且面向上基板的下基板;以及在上基板和下基板上沉积取向层,取向层包括含有硅(Si)、氧(O)和碳(C)的无机物。
优选地,取向层的厚度在大约30nm至大约500nm之间。
合适的,无机物是碳氧化硅(SiOC)。
另外,无机物的化学式为SiOCx,其中x介于大约0.12和大约1.89之间。
另外,在大约30℃到大约400℃的温度范围内沉积取向层。
另外,取向层具有在从大约85°到大约90°的范围内的液晶取向方向。
优选地,本发明的方法还包括通过利用离子束系统来改变取向层上的液晶取向方向。
合适地,改变液晶取向方向的过程包括:引导离子束至取向层;和通过设定离子束的入射角来确定液晶取向方向。
另外,入射角在大约20°和大约90°之间。
另外,取决于离子束的入射角,设置取向层的液晶取向方向在大约79°到大约90°的角度之间。
可以理解为,本发明前面的概述和下面的详细描述是示范性的和解释性的,并且要提供如权利要求的本发明的更进一步解释。
附图说明
图1是根据本发明的LCD面板的透视图;
图2是如图1所示的一部分LCD面板的截面视图;
图3是示出了在如图1所示的LCD面板中液晶预倾取向角度与包含硅、氧和碳的SiOC的含碳率的对应关系的曲线图;
图4是根据本发明的另一个实施例的LCD面板的截面图;
图5A是阐明第一和第二偏振片的透光特性的图表;
图5B是阐明根据本发明的LCD面板的透光特性的图表;
图6是阐明根据本发明包括由SiOC形成的取向层的LCD面板和具有聚酰亚胺(PI)取向层的相关技术LCD面板的透光特性曲线图;
图7是阐明液晶层预倾角度和本发明取向层厚度的对应关系的曲线图;
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