[发明专利]光电转换元件的P型掺杂层及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件的P型掺杂层，包括：

成核层；以及

宽能带隙层，形成于该成核层上，

其中该成核层的厚度大于或等于该宽能带隙层的厚度，

该成核层的材料包括氢化微晶硅薄膜，且

该宽能带隙层的材料包括氢化微晶氧化硅薄膜。

2.如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该成核层的结 晶率大于30％。

3.如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该成核层的导 电率大于10^-6S/cm。

4.如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该宽能带隙层 的能带隙大于1.9eV。

5.如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该宽能带隙层 的含氧量在10¹⁸～10²¹atom/cm³之间。

6.一种制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，包括：

在透明导电基板上形成成核层，其中形成该成核层的气体包括硅烷和氢 气，且硅烷和氢气的初始流量比介于1∶100～1∶50之间，该硅烷的流量随时间 变化增加并在一段时间后维持不变，该成核层的材料包括氢化微晶硅薄膜； 以及

于该成核层上形成宽能带隙层，该宽能带隙层的材料包括氢化微晶氧化 硅薄膜。

7.如权利要求6所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中该 段时间是取决于成核层的结晶率至少大于20％之后。

8.如权利要求6所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中形 成该成核层所使用的氢气的流量维持不变。

9.如权利要求6所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中形 成该成核层所使用的硅烷和氢气的最终流量比介于1∶20～1∶5之间。

10.如权利要求6所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中 形成该宽能带隙层的气体包括硅烷和氢气，且硅烷和氢气的流量比为 1∶30～1∶150。

11.如权利要求6所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中形 成该宽能带隙层的气体还包括CO₂、N₂O或O₂。