[发明专利]高纯硼化锆/硼化铪粉体及其超高温陶瓷靶材的制备方法有效
申请号: | 200710304465.6 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101468918A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 储茂友;王星明;邓世斌;韩沧;张碧田;段华英;张明贤;龚述荣;潘德明 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | C04B35/626 | 分类号: | C04B35/626;C04B35/58;C04B35/645 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 琨 |
地址: | 100088北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高纯 硼化锆 硼化铪粉体 及其 超高温 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种高纯超高温陶瓷靶材的制备方法,其特征在于,具体制备工艺如下:
1)将纯度为99.9%的高纯Zr粉或纯度为99.9%的Hf粉存储于纯净水中,将 纯度为99%的高纯B粉分别和湿Zr粉按Zr∶B原子比1.03∶2或湿Hf粉按Hf∶B原 子比1.01∶2的比例称量;然后放置于球磨罐中,球磨3~10小时后,将混合均匀 的原材料放置于干燥间中室温风干,完全干燥后,将混合粉体稍经压制形成坯料, 放置于石墨坩埚内;将坯件一端与点火装置的钨丝相连接,放入真空反应合成器 中,真空度高于1×10-1Pa时开始升温,达到700℃~1000℃间,启动点火装置, 即发生自蔓延高温合成反应,待反应完成体系冷却后,取出反应产物,将产物破 碎即得到所需的ZrB2粉体或HfB2粉体;
2)称取一定量步骤(1)所得到的ZrB2粉体或HfB2粉体,装入一定尺寸规格 的石墨模具中,将石墨模具放置于热压炉内,抽真空到1×10-1Pa时开始升温,温 度达到1200~1300℃,保温30min;此时体系真空度保持在100Pa,不加压;随 后在升温过程中,充氩气,在升温过程中开始不断加压,当温度升至1750~1900℃ 间,压力达到10~30MPa,开始保温保压,保温保压1~1.5小时后,关闭加热电 源开始降温,等温度降至1200~1700℃,逐渐缓慢泄压;
3)等热压炉完全冷却后,取出得到的ZrB2靶材坯料或HfB2靶材坯料,随后 进行机械磨削和电加工线切割,得到符合尺寸要求的靶材;再将其放入含有清洗 剂的纯净水中,进行超声清洗,清洗1~2小时后,换纯净水再次进行超声清洗1~2 小时;洗净后将靶材放入真空干燥箱内烘干,最后得到镀膜用的靶材。
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