[发明专利]基于标准CMOS工艺的积分电容及其制作方法无效
| 申请号： | 200710304212.9 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471386A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 马文龙;石寅;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 标准 cmos 工艺 积分 电容 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种基于标准CMOS工艺的积分电容，其特征在于，该积分电容包括：
一P型硅衬底(1)；
一位于该P型硅衬底(1)上的下电极板(2)；
一位于该下电极板(2)上的栅氧化层(3)；
两个位于该下电极板(2)上且在该栅氧化层(3)两侧的N阱欧姆接触(5)；
一位于该栅氧化层(3)上的上电极板(4)。
2、根据权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的积分电容，其特征在于，所述下电极板(2)是利用CMOS工艺的N阱实现的。
3、根据权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的积分电容，其特征在于，所述栅氧化层(3)是利用CMOS工艺的栅氧化层实现的。
4、根据权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的积分电容，其特征在于，所述上电极板(4)是采用多晶硅栅实现的。
5、根据权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的积分电容，其特征在于，所述N阱欧姆接触(5)是通过N+实现的。
6、一种基于标准CMOS工艺制作积分电容的方法，其特征在于，该方法包括：
在P型晶圆的衬底上形成N阱，作为新型电容的下极板；
在N阱上制作多晶硅栅，作为新型电容器的上极板；
利用自对准工艺，生成N+区域，作为N阱的欧姆接触；
分别在多晶硅栅和N+欧姆接触区制作金属接触孔，完成新型电容的制作。
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