[发明专利]荧光体层厚度的确定方法和发光设备的制造方法

权利要求书

1.一种具有荧光体层的装置的荧光体层厚度确定方法，所述荧光体层通过在透明树脂中分散荧光体颗粒形成，所述方法包括步骤：

向所述荧光体层施加激光，从而基于所述激光从所述荧光体颗粒激发的荧光的发光强度或发光区域面积确定荧光体层的厚度。

2.根据权利要求1所述的荧光体层厚度确定方法，其中，所述装置是一种发光设备，其包括具有凹陷部分的封装体、放置在所述封装体的凹陷部分底面上的发光二极管芯片和通过向所述凹陷部分内注入有待固化的密封材料而形成的密封层，所述密封材料是通过将荧光体颗粒与透明树脂混合而制备的，所述密封层设有有待施加激光的荧光体层和位于所述荧光体层上的透明树脂层，所述荧光体层覆盖所述发光二极管芯片。

3.根据权利要求1所述的荧光体层厚度确定方法，其中，通过将任意选择的荧光体层的发光区域的面积或发光强度与基准荧光体层的发光区域的面积或发光强度相比较，执行荧光体层的厚度的确定。

4.根据权利要求1所述的荧光体层厚度确定方法，其中，所述发光区域的面积或发光强度对应于通过从上方沿斜向向所述荧光体层的表面施加激光而获得的、并且沿垂直于所述荧光体层的表面方向观察的荧光发光区域的面积或荧光发光强度。

5.根据权利要求1所述的荧光体层厚度确定方法，其中，通过具有图像拍摄设备的图像处理设备测量所述发光区域的面积或发光强度，将所述激光波长设置为所述图像拍摄设备的灵敏波长。

6.根据权利要求2所述的荧光体层厚度确定方法，其中，所述激光具有进入荧光体层的、射束直径小于等于25μm的激光部分，将所述激光施加在沿几乎与所述激光的照射方向正交的方向宽于所述封装体宽度的范围内。

7.根据权利要求2所述的荧光体层厚度确定方法，其中，将所述激光相对于所述透明树脂层表面的入射角θ设置为处于0＜θ≤55°的范围内。

8.根据权利要求2所述的荧光体层厚度确定方法，其中，向所述荧光体层施加激光，但不将其施加到所述发光二极管芯片上，并且在沿垂直于所述透明树脂层的表面的方向观察时，所述发光区域位于除了正好位于所述发光二极管芯片上方的位置以外的区域，并且处于所述发光二极管芯片附近。

9.根据权利要求2所述的荧光体层厚度确定方法，其中，所述发光二极管芯片为发射蓝光的二极管芯片，所述荧光体颗粒为黄色荧光体颗粒。

10.一种发光设备的制造方法，包括步骤：

将发光二极管芯片放在封装体的凹陷部分的底面上；

向所述凹陷部分内注入密封材料，所述密封材料是通过将荧光体颗粒与透明树脂混合而制备的；以及

通过使所述透明树脂固化形成密封层，其中，所述荧光体颗粒处于沉淀状态，从而完全覆盖所述发光二极管芯片，其中

采用根据权利要求2所述的荧光体层厚度确定方法，测量具有基准色度的基准发光设备和任选发光设备的每个荧光体层的发光区域面积或发光强度，

计算有待检查的发光设备的发光面积或发光强度相对于基准发光设备的发光面积或发光强度的变化量；并且

将所述变化量返回至所述注入步骤，以调整注入条件，进而调整要向所述封装体注入的密封材料的注入量，从而调整所述荧光体层的厚度，由此将所述发光设备的色度设置为基准色度。

11.根据权利要求10所述的发光设备的制造方法，其中，在所述注入步骤中，使要向所述封装体内注入的密封材料中荧光体颗粒的密度保持预定密度。

12.根据权利要求10所述的发光设备的制造方法，其中，通过采用分配器向封装体内注入密封材料执行注入步骤，所述注入条件包括所述分配器的释放压力。

13.根据权利要求12所述的发光设备的制造方法，其中，在所述变化量小于预定值的情况下，通过提高所述释放压力将所述密封材料的注入量调整为增大；相反，在所述变化量大于所述预定值的情况下，通过降低所述释放压力将所述密封材料的注入量调整为减小。

14.根据权利要求12所述的发光设备的制造方法，其中，通过至少对所述分配器内的密封材料执行搅拌处理或循环处理，使所述分配器内的荧光体颗粒的密度分布保持均匀，由此使将被注入到封装体内的密封材料中的荧光体颗粒密度保持预定密度。