[发明专利]一种腔室的衬有效
申请号: | 200710175533.3 | 申请日: | 2007-09-30 |
公开(公告)号: | CN101399197A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 林盛 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23F1/08 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张天舒;陈 源 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 | ||
1.一种腔室的衬,用于内衬在半导体处理室中,所述衬包括侧 壁,该侧壁的形状和尺寸与半导体处理室内壁的形状和尺寸相适配, 其特征在于,在所述衬的侧壁上设置有屏蔽孔隙,所述屏蔽孔隙呈条 状。
2.根据权利要求1所述的腔室的衬,其特征在于,所述条状屏 蔽孔隙为水平条和/或竖直条和/或倾斜条。
3.根据权利要求1所述的腔室的衬,其特征在于,所述屏蔽孔 隙均匀分布。
4.根据权利要求1所述的腔室的衬,其特征在于,在所述侧壁 的靠下位置处设置有传片口,用于将半导体器件从所述处理室之外传 递到处理室内,和/或将所述半导体器件从所述处理室内传递到处理 室之外。
5.根据权利要求4所述的腔室的衬,其特征在于,所述传片口 设置在所述屏蔽孔隙的相对侧。
6.根据权利要求1所述的腔室的衬,其特征在于,所述衬的侧 壁为闭合的筒状,其围绕所述半导体处理室的整个内壁;或者所述衬 的侧壁为非闭合状,其围绕所述半导体处理室的部分内壁。
7.根据权利要求1所述的腔室的衬,其特征在于,所述衬的侧 壁向外延伸形成侧壁法兰,借助于所述侧壁法兰将所述衬安装在所述 半导体处理室内。
8.根据权利要求1所述的腔室的衬,其特征在于,借助于紧固 件将所述衬安装在所述半导体处理室内。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的腔室的衬,其特征在 于,所述衬的侧壁上设置有观察口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造