[发明专利]具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及一种馈通滤波器，特别是涉及一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器。

背景技术

如今电子产品讲求的是高速传输讯号，如HDMI讯号频率达742.5MHz，对于静电放电(ESD)所需要的过电压保护装置特性要求更是严格，低容值的过电压保护装置可以避免在速度快的高频讯号有衰减作用。

目前业界有瞬时电压抑制二极管(Transient Voltage Suppress Diode，TVSD)装置、积层式压敏电阻(Multi-Layer Varistor，MLV)装置等。

但上述对于过电压的保护仍有不足，且无馈通滤波的功能。

发明内容

本发明的目的，在于提供一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，结合馈通式滤波与中空气隙过电压保护功能，以解决信号在高传输速度所面臨的ESD(静电防护)与EMI(滤波)的双重问题。

本发明是采用以下技术手段实现的：

本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一下基板；一电极层形成于该下基板的上端表面，此电极层为一十字型电极形式，在其中一方向电极上形成雨个沟槽，该沟槽将该电极层切开且延伸至该下基板之内；一中基板，具有第二沟槽，该第二沟槽与下基板的第一沟槽相对，且具有与该第一沟槽相同的宽度与长度；一第二中基板，其上方形成有一电极层，其电极层方向与下基板具有沟槽的电极线方向一致，该上基板覆盖于中基板之上，然后覆盖下基板，使得上基板、中基板与下基板接合。

本发明与现有技术相比，具有以下明显的优势和有益效果：

上述形成于下基板和第一中基板的沟槽，以切割方式形成，当整体叠合完成之后，沟槽即相当于一中空气室，可用以提供过电压保护。并且，可依照需求及规格而调整尺寸，例如气隙的深度与宽度，不会因为制程而受到限制。

此外，上述由沟槽所切开的电极层，在切开端可分别形成尖端狀，使其具备尖端放电的功能。

附图说明

图1为本发明的立体分解图；

图2为本发明的成品图；

图3为本发明的另一实施例立体分解；

图4为本发明的另一实施例图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施例加以说明：

如图1所示，本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一个下基板1、一个第一中基板2、一个第二中基板3及一个上基板4；其中，下基板1的上方表面形成一电极层11，该电极层11呈十字型，其包含传输线和接地线作用的电极，其中作为传输线的电极上形成有雨个沟槽121、122，该沟槽121、122不仅将电极层切开，并且延伸至下基板1的内部；

第一中基板2，设于下基板1的上方，其表面相对至下基板1的沟槽121、122的位置，形成有相对的沟槽21、22，沟槽21、22和沟槽121、122的位置相对，宽度和长度也相同。

第二中基板3，设于第一中基板2的上方，其上端表面形成一电极31，该电极31可为直线形或弯曲形，电极31的方向和下基板1上具有沟槽121、122的电极的方向一致；

上基板4，设于第二中基板3的上方。

如图2所示，当下基板1、第一中基板2、第二中基板3及上基板4依序叠合后，在周边的四个边各形成一端电极51、52、53、54，其中端电极51、52作为接地端，端电极53、54作为输出端及输入端。

上述本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其下基板1和上基板4，系以铝元素(例如氧化铝(Al2O3))、钛元素或硅元素等绝缘材料所形成，也可以为积层式薄带(Multi-layer thin film)。

上述的电极层11和电极31，得使用金，银，钯，铂，钨，铜等金属之一，其任意组合的合金，或包含其任意组合的混合材料所形成。

上述形成于下基板1和第一中基板2的沟槽121、122及21、22，以切割方式形成，当整体叠合完成之后，沟槽121、122、21、22即相当于一中空气室，可用以提供过电压保护。并且，可依照需求及规格而调整尺寸，例如气隙的深度与宽度，不会因为制程而受到限制。

请参照图3所示，为本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器的另一实施例，即本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，可以是如图1、图2所示的单一组件，也可如图3所示，形成矩阵结构。