[发明专利]具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器

权利要求书

1.一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一个下基板、一个第一中基板、一个第二中基板和一个上基板；其特征在于：

所述的一个下基板，其上端表面形成一电极层，该电极层分别包含传输线和接地线作用的电极，其中作为传输线的电极上至少形成有一个将该电极层切开且延伸至该下基板内部的沟槽；

所述的一个第一中基板，设于下基板的上方，其表面相对至下基板上的沟槽位置，形成有相对的沟槽；

所述的一个第二中基板，设于第一中基板的上方，其表面相对至下基板上具有沟槽的电极方向，形成有相对的电极层；

所述的一个上基板，设于第二中基板上方；

一组端电极，形成于外周。

2.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的下基板和第二中基板的电极层为金，银，钯，铂，钨，铜金属之一，其任意组合的合金，或包含其任意组合的混合材料。

3.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的上基板、第一中基板、第二中基板与下基板，为绝缘材料所制成。

4.根据权利要求3所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的绝缘材料至少包含铝元素，钛元素或硅元素。

5.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的第二中基板的电极层，为直线形或弯曲形。

6.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的下基板的电极层，在传输线的方向具有多数延伸段，每一延伸段均设有沟槽；第一中基板于相对至下基板的沟槽的位置形成有相对数的沟槽；第二中基板于下基板的延伸段的相对位置则形成有相对数的电极层，以此形成矩阵式结构。