[发明专利]监控和预测晶片平整度的方法及半导体晶片的制造方法

权利要求书

1.一种监控和预测晶片平整度的方法，其特征在于，包括：

选择一晶片参数；

收集一包括有一第一晶片与一第二晶片的该晶片参数的一测量结果的一制造数据，其中该第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由一加工工具进行处理；

使用该制造数据决定该第一晶片和该第二晶片的该晶片参数的一平均偏差值变量曲线，其中该平均偏差值变量曲线包括多个平均偏差值，该些平均偏差值偏离被选定的该晶片参数的一平均值，且该些平均偏差值分别用以表示该第一晶片的多个位置上被选定的该晶片参数与该第二晶片的多个位置上被选定的该晶片参数从该晶片参数的该平均值偏离的变量；以及

使用该平均偏差值变量曲线来预测一第三晶片的一预测偏差值变量曲线，其中该第三晶片与该产品型态匹配，并且经由该加工工具进行处理，其中该预测偏差值变量曲线包括该第三晶片的多个位置上被选定的该晶片参数的多个预测偏差值，该些预测偏差值偏离被选定的该晶片参数的该平均值。

2.根据权利要求1所述的监控和预测晶片平整度的方法，其特征在于，该加工工具与该晶片参数相关。

3.根据权利要求1所述的监控和预测晶片平整度的方法，其特征在于，该晶片参数为一特征尺寸。

4.根据权利要求1所述的监控和预测晶片平整度的方法，其特征在于，该加工工具为一制作工具中的一反应槽。

5.根据权利要求1所述的监控和预测晶片平整度的方法，其特征在于，该第一晶片与该第二晶片具有实质相同的该偏差值变量曲线。

6.根据权利要求1所述的监控和预测晶片平整度的方法，其特征在于，还包括：

使用该预测偏差值变量曲线来决定该第三晶片的后续工艺；以及

使用该预测偏差值变量曲线来监控该加工工具。

7.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：

提供与一产品型态匹配的一第一晶片，其中该第一晶片是在一反应槽中进行处理；

决定该第一晶片的一晶片参数的一平均值；

决定一第二晶片的该晶片参数的一偏差值变量曲线与一第三晶片的该晶片参数的另一偏差值变量曲线，其中该第二晶片与该第三晶片均与该产品型态匹配，且均是在该反应槽中进行处理，该一偏差值变量曲线与该另一偏差值变量曲线平均后得到该晶片参数的一平均偏差值变量曲线，该平均偏差值变量曲线包括有多个平均偏差值，该第二晶片与该第三晶片包括相对应的多个位置，该些平均偏差值系用以表示在该些位置上的该晶片参数从该晶片参数的该平均值偏离的变量；以及

采用该平均偏差值变量曲线及该第一晶片的该晶片参数的该平均值来预测位于该第一晶片的一位置的该晶片参数的一数值。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，该第二晶片与该第三晶片的处理时间与该第一晶片的处理时间相近。

9.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，该晶片参数包括一材质层的一厚度。

10.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，其中该平均偏差值变量曲线是采用至少一指数加权移动平均值来决定。

11.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，决定该晶片参数的该平均值，包括预测该晶片参数的该平均值。

12.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，还包括预测位于第一晶片多个位置的该晶片参数的多个数值。

13.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，该第一晶片包含于一晶片批次中，且该晶片批次中包括有一第四晶片，其具有在至少一个位置所测量的该晶片参数。