[发明专利]春石斛组织培养快繁方法有效
申请号: | 200710160571.1 | 申请日: | 2007-12-26 |
公开(公告)号: | CN101180950A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 郑勇平 | 申请(专利权)人: | 浙江森禾种业股份有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;A01G31/00 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 310012浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石斛 组织培养 方法 | ||
技术领域
本发明属于植物快繁方法技术领域,具体为春石斛组织培养快繁方法。
背景技术
春石斛(Dendrobium),兰科(Orchidaceae)石斛属,多年生草本,附生性,茎丛生,有节,黄绿色,叶近革质,卵状披针形,长9-12cm,总状花序。我国有76种原生种,主要分布于云南、广东、广西、台湾、海南等地。日本、泰国、新加坡等国家石斛兰产业化规模已非常成熟,而且育种工作突出,培育出丰富的杂交品种,花色有红色、白色、黄色及各种复合色,是当前国内外市场盆栽欣赏和切花生产的高档花卉。石斛兰杂交品种主要分为三大类:高贵石斛系(Dendrobium nobile)、美丽石斛系(Dendrobium formidible)、蝴蝶石斛系(Dendrobium phaloenopsis)。高贵石斛系的花朵着生在茎的各节上,每节开花2-4朵,花梗短小只有1cm长,开花前必须经过干燥低温处理才能进行花芽分化,花期主要集中在春季,冬季叶片往往会掉落,因此又叫春石斛;美丽石斛系开花时花朵聚生在假鳞茎的上部,一般在初夏时开花,也有在冬季和不定期开花,叶背面被有黑色细毛是其特征之一;蝴蝶石斛系花梗虽自假鳞茎顶部抽出,但长达50-80cm,着花5-20朵,冬季也需要高温高湿才能正常生长,花期一般在秋冬季,为常绿不落叶类型,又叫秋石斛。春石斛传统的扦插繁殖技术成苗率低,品质差异明显,使春石斛的繁殖技术面临巨大的工厂化栽培压力。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,本发明的目的在于设计提供一种春石斛组织培养快繁方法的技术方案,生产得到的春石斛种苗品质高,一致性好。
所述的春石斛组织培养快繁方法,其特征在于包括以下步骤:
1)选择具有较好品种特征且生长健壮的春石斛幼茎作外植体,幼茎长度为3-5cm;
2)外植体的处理:剥去幼茎外面节上的叶片,洗净后先用70-75%酒精浸润或擦洗带叶和叶鞘的幼茎,再剥去下部叶和叶鞘,留下包裹茎尖的1-2片叶,在0.1-0.15%升汞中浸泡6-8分钟,然后在8-10%的NaClo溶液中浸泡15-20分钟,最后用蒸馏水洗至无异味;
3)切除与消毒剂接触过的外植体切面,在无菌接种室中,采用刀背挤压法挤出茎尖,接种到具有初始培养基的试管中,一个试管接一个茎尖,于无菌培养室中培养10-15天;
4)诱导和增殖培养:将存活的茎尖转接到诱导培养基上诱导不定芽或原球茎,培养30-40天后转接到增殖培养基中进行增殖培养,培养2-3个月;
5)继代生根培养:
a)将步骤4)中生成的不定芽切割成单个的不定芽接入生根培养基中培养,待苗生长至高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根时,进行下步移栽;
b)取步骤4)中诱导成的原球茎转接到增殖培养基中进行增殖培养30-40天,再转接到催芽培养基中催芽,生长30-40天后,将其切割成单个的不定芽接入生根培养基中培养,待苗生长至高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根时,进行下步移栽;
6)移栽:移栽前5-6天放于大棚中练苗,并提前1-2天把瓶盖全部打开或打开一半,从试管中取出的幼苗用水将附着在根上的培养基冲掉,采用纯水苔作为培养基质,单株移栽到128孔穴盘中;
上述采用的培养基分别为初始培养基1/2Ms、诱导培养基1/2Ms+BA1.0+NAA0.5、增殖培养基MS+BA1.5+NAA0.5+CH1g/L+5%香蕉、生根培养基1/2MS+IBA0.3mg/L+10%香蕉、催芽培养基1/2Ms+BA0.2+NAA0.1;所述培养基的pH值为5.4-5.8,并在121-125℃、1.10-1.15Pa的条件下灭菌20-25分钟。
所述的春石斛组织培养快繁方法,其特征在于移栽苗二周内采用喷雾保持叶面湿润状态,二周后按干透湿透的原则浇水。
所述的春石斛组织培养快繁方法,其特征在于移栽苗第一周进行70%遮光处理,一周以后进行50%遮光处理。
所述的春石斛组织培养快繁方法,其特征在于移栽苗20-25天后每周施一次肥,前期肥料选择花宝5号(3000*)或花多多N∶P∶K=9∶45∶15(3000*)进行叶面喷洒促使长根,后期选择花多多N∶P∶K=20∶20∶20(3000*)进行叶面喷洒或根部浇灌。
所述的春石斛组织培养快繁方法,其特征在于灭菌后的培养基放入准备区备用,准备区每天用紫外灯消毒至少2小时。
所述的春石斛组织培养快繁方法,其特征在于在0.1-0.15%升汞中加2-3滴Tween 20。
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