[发明专利]电路有效

专利信息
申请号: 200710153390.6 申请日: 2003-01-17
公开(公告)号: CN101127519A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 木村肇;渡边康子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H03K17/14 分类号: H03K17/14;H02M7/538;H02P8/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王小衡
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电路
【权利要求书】:

1.一种电路,用于在输入到输入端的输入电位基础上通过输出端输出输出电位,其包括:

第一晶体管;

具有第一和第二电极的整流型器件,输入电位被输入到整流型器件的第一电极;

第二晶体管,用于输入电源电位到第二电极并且用于将第二电极的电位与第一电位会聚;以及

第三晶体管,用于当第一电位输入到第一晶体管的栅电极时从第一晶体管的源极输出输出电位,

其中整流器件包括第四晶体管,其中第一电极和第二电极的其中之一是第四晶体管的源极和漏极的其中之一并且是第四晶体管的栅极,而且

其中第一电极和第二电极的另一个是第四晶体管的源极和漏极的另一个。

2.权利要求1的半导体器件,其中第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管每一个都是薄膜晶体管。

3.一种电路,用于在输入到输入端的输入电位Vin的基础上从输出端输出输出电位Vout,其包括:

具有第一和第二电极的整流型器件;

具有栅极、第三和第四电极的第一晶体管;以及

用于获取输出电位Vout的第二晶体管;

其中第一电极与输入端电连接;

其中第二电极与第一晶体管的栅电极电连接;

其中第三电极与布线电连接;

其中第四电极与第二晶体管的源极和漏极的其中之一以及输出端电连接;并且

其中整流型器件的电压V、输入电位Vin和阈值电压Vth满足关系:V>(Vin+Vth)并且该电路包括用于获取电压V的第三晶体管;

其中整流器件包括第三晶体管;

其中第一电极和第二电极的其中之一是第三晶体管的源极和漏极的其中之一并且是第三晶体管的栅极;并且

其中第一电极和第二电极的另一个是第三晶体管的源极和漏极的另一个。

4.权利要求3的电路,其中第一晶体管和第二晶体管每一个都是薄膜晶体管。

5.权利要求3的电路,其中第三晶体管是薄膜晶体管。

6.权利要求3的电路,其中布线是向其上施加电源电位的电源线。

7.一种半导体器件,包括:

整流器件;

第一晶体管;以及

开关;

其中整流器件的第一电极电连接到第一晶体管的栅极;

其中第一晶体管的源极和漏极的其中之一电连接到第一电源线;

其中第一晶体管的源极和漏极的另一个电连接到开关的第一电极;

其中开关的第二电极电连接到第二电源线;

其中第一电位输入到整流器件的第二电极;

其中第二电位从第一晶体管的源极和漏极的另一个以及开关的第一电极输出;

其中整流器件包括第二晶体管;

其中整流器件的第一电极和第二电极的其中之一是第二晶体管的源极和漏极的其中之一并且是第二晶体管的栅极;并且

其中整流器件的第一电极和第二电极的另一个是第二晶体管的源极和漏极的另一个。

8.权利要求7的半导体器件,其中第一晶体管和第二晶体管的每一个是薄膜晶体管。

9.权利要求7的半导体器件,其中第一晶体管是薄膜晶体管。

10.权利要求7的半导体器件,其中第二晶体管是薄膜晶体管。

11.一种具有权利要求7的半导体器件的电气装置。

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