[发明专利]阵列基底和具有该阵列基底的显示装置无效
申请号: | 200710149204.1 | 申请日: | 2007-09-06 |
公开(公告)号: | CN101149550A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 李奉俊;许命九;金圣万;李洪雨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36;H01L27/12;H01L23/522 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;邱玲 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 基底 具有 显示装置 | ||
本申请要求于2006年9月18日提交的第10-2006-0090247号韩国专利申请的优先权,出于所有目的,其内容通过引用包含于此,好像完全在这里被提出一样。
技术领域
本发明涉及一种阵列基底和一种包括该阵列基底的显示装置。更具体地讲,本发明涉及一种可以提高响应速度的阵列基底和一种包括该阵列基底的显示装置。
背景技术
通常,液晶显示器包括液晶显示面板,液晶显示面板包括下基底、面对下基底的上基底以及置于下基底和上基底之间的液晶层,以显示图像。
液晶显示面板可包括多条栅极线、多条数据线以及连接到栅极线和数据线的多个像素,上述栅极线、数据线和像素都形成在液晶显示面板上。液晶显示面板包括通过薄膜工艺直接形成在其上的栅极驱动电路。栅极驱动电路顺序地向栅极线输出栅极信号。
通常,栅极驱动电路包括移位寄存器,在移位寄存器中,多个级相继地相互连接。即,每个级向对应的栅极线施加栅极信号,并控制下一级的驱动。
然而,随着液晶显示面板的尺寸变得更大且分辨率变得更高,栅极线的数目增加。当栅极线的数目增加时,有源时间段(active period)(一个水平扫描时间段,1H时间段)缩短,在有源时间段中操作连接到一行的像素。结果,液晶的充电速率会降低,从而显示装置的响应速度降低。
发明内容
本发明提供了一种可提高响应速度和显示品质的阵列基底。
本发明还提供了一种包括上述阵列基底的显示装置。
本发明的其它特征将在随后的描述中被提出,并部分地将从描述中清楚,或者可以通过本发明的实践而得知。
本发明公开了一种阵列基底,该阵列基底包括底基底和布置在底基底上的多个像素。每个像素包括栅极线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和预充电部分。栅极线在当前1H时间段(一个水平扫描时间段)内接收栅极脉冲,数据线接收极性每帧被反转的像素电压。数据线与栅极线绝缘并与栅极线交叉。薄膜晶体管连接到栅极线和数据线,以在当前1H时间段内响应于栅极脉冲来输出像素电压。像素电极连接到薄膜晶体管,以在当前1H时间段内接收像素电压。在前1H时间段内,预充电部分响应于前栅极脉冲将像素电极预充电至作为像素电压的基准电压的共电压。
本发明还公开了一种显示装置,该显示装置包括阵列基底、相对基底、栅极驱动电路和数据驱动电路。阵列基底包括底基底和布置在底基底上的多个像素,相对基底与阵列基底结合并面对阵列基底。栅极驱动电路向像素施加栅极脉冲,数据驱动电路向像素施加极性每帧被反转的像素电压。布置在阵列基底上的每个像素包括栅极线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和预充电部分。栅极线在当前1H时间段(一个水平扫描时间段)内接收栅极脉冲,数据线接收数据电压。数据线与栅极线绝缘并与栅极线交叉。薄膜晶体管连接到栅极线和数据线,以在当前1H时间段内响应栅极脉冲来输出像素电压。像素电极连接到薄膜晶体管,以在当前1H时间段内接收像素电压。在前1H时间段内,预充电部分响应于前栅极脉冲将像素电极预充电至作为像素电压的基准电压的共电压。
要理解的是,上面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的,并意在提供对要求保护的本发明的进一步的说明。
附图说明
附图示出了本发明的实施例,并和说明书一起用来说明本发明的原理,其中,包括附图来提供对本发明的进一步理解,附图包含在该说明书中并构成该说明书的一部分。
图1是示出了根据本发明示例性实施例的液晶显示器的平面图。
图2是示出了图1中示出的具有水平像素结构的一个像素的电路图。
图3是示出了图2中的一个像素中像素电压根据栅极脉冲的变化的波形图。
图4是示出了图1中示出的阵列基底上的像素的布局图。
图5是沿着图4中示出的线I-I′和II-II′截取的剖视图。
图6是示出了根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的平面图。
图7是示出了图6中示出的具有垂直像素结构的一个像素的电路图。
图8是示出了图6中示出的阵列基底上的像素的布局图。
图9是沿着图8中示出的线III-III′和IV-IV′截取的剖视图。
图10是示出了根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的平面图。
图11是示出了图10中示出的具有垂直像素结构的一个像素的电路图。
图12是示出图11中的一个像素中像素电压根据栅极脉冲的变化的波形图。
具体实施方式
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